近年來由于各項智能設備以及人工智能的應用，人們對芯片計算能力的需求越來越大。芯片的運算能力取決于基本運算單元電晶體的多寡，但由于電晶體的研發已漸漸接近物理極限，無法再繼續縮小，因此科學家及各個科技大廠正在不斷研究下個能使芯片運算速度提升的方法。
其中一個半導體產業在追求的新興技術就是三維芯片，三維芯片利用高度的堆疊來整合不同的芯片，可以更有效利用空間、放入更多元件，增加運算速度。
研究人員：新技術前景可期
麻省理工學院的研究員近期利用納米碳管和電阻式存儲器（RRAM）發展出新的三維芯片制造方法，目前已發布在期刊《Nature》上。有別于傳統以矽為基礎的芯片，這次芯片為納米碳管及 RRAM 組成，由于納米碳管電路及 RRAM 制作時只需攝氏 200 度，因此解決了傳統硅晶片制程時需要超過攝氏 1 千度高溫，會損壞三維芯片多層次結構的問題。
此外，納米碳管和 RRAM 的能源消耗效率也比傳統芯片元件佳。
該團隊表示下一步將會與半導體公司合作開發新版本的三維芯片，把感測功能及資料處理功能也加入單一芯片中。有專家表示，這項發明可能會是延續摩爾定律的重要關鍵，雖然可能還需要很長時間的研究，不過前景可讓人期待的。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。