據傳臺積電7納米微縮制程大幅超前三星電子，成功奪走高通7納米處理器大單。韓國消息稱，三星恨得牙癢癢，打算直攻6納米制程扳回一城。
韓媒etnews27日報導，臺積電花最少精力研發10納米，跳級直取7納米的策略奏效，搶走三星的高通訂單。三星心有不甘，打算從10納米直攻基于7納米的6納米制程，目標2019年量產6納米。據傳三星晶圓代工部門心知無力挽回轉單，重心放在6納米，今年將裝設兩臺艾司摩爾（ASML）極紫外光（EUV）微影設備“NXE3400B”，明年還會裝設7臺。
三星導入EUV可以減少光罩層數、節省成本。臺積電首批7納米制程并未使用EUV，仍使用ArF液浸設備，處理時間較長、成本也較高。半導體業界人士稱，三星電子曾跳過20納米，搶攻14納米，取得成功；臺積電也跳過10納米，直取7納米，贏得市場先機。如今三星購入EUV設備，將與臺積電激烈廝殺。
etnews稱，三星打算2019年量產6納米。臺積電擬于2018年量產7納米，并計劃在第二代7納米制程使用EUV機臺，目標2019年量產二代7納米芯片。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。