在英特爾宣布進入ARM芯片代工市場，并為展訊代工了14nm八核X86架構的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后，另一IDM模式巨頭三星于日前宣布將成立一個獨立的代工或合同芯片制造業(yè)務部門，強化代工業(yè)務。排名全球前兩位的半導體廠商對晶圓代工市場表現出了濃厚的興趣，那么臺積電、格羅方德、聯電及中芯國際等純晶圓代工市場上的四強又在做什么呢？
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臺積電
在晶圓代工領域，臺積電是當之無愧的老大，也是英特爾和三星在代工市場上最強的對手。除了10nm制程工藝用于今年下半年將發(fā)布的iPhone 8的A11芯片外，早前曾有報道表示，臺積電已經在測試尖端7nm芯片產品，且會在2018年量產，并將在一年后再投產EUV極紫外光刻技術加持的新版7nm。而臺積電5nm將會在2019年試產，主打移動設備和高性能計算。
在5月25日的臺積電技術論壇上，臺積電首次揭露了研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內存）和eRRAM（嵌入式電阻式內存）分別將在明后年進行風險性試產，主要采用22nm制程。
格羅方德
在三星和臺積電就10nm制程工藝“大打出手”的時候，格羅方德卻決定跳過10nm直取7nm制程。雖然沒有對10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝，對比16nm FinFET工藝，12nm制程能夠將功耗降低50%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過根據早前格羅方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產。
雖然制程工藝進步的腳步比不過臺積電，但近日一則有關全球首款5nm芯片的消息中，卻出現了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯盟已經成功開發(fā)出業(yè)界第一個全新的硅納米片晶體管，為實現5nm工藝鋪平了道路。
另外格羅方德攜手成都市成立的合資公司格芯已經展開建設工作，預計將于2018年年初完工。完工后，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產，進而專注于22FDX的制造，預計將于2019年開始實現量產。
聯電
聯電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場上遠不如臺積電精彩。今年年初時，公司宣布了其自主研發(fā)的14nm FinFET工藝，已成功進入客戶芯片量產階段，且良率已達先進制程的業(yè)界競爭水準。在成功量產14nm后，聯電也啟動了廈門子公司聯芯的28nm制程量產計劃，劍指大陸快速成長的中低端手機芯片市場。
中芯國際
中芯國際作為大陸晶圓代工一哥，已經開始量產28nm PolySiON工藝，而對于更高級并將扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯國際曾透漏，對于HKMG平臺，今年將積極導入設備與試產，最快第三季備妥產能，預期今年“會持續(xù)成長，但貢獻度有限”。
新任CEO趙海軍也表示過，中芯將持續(xù)投入28nm新平臺與14nm研發(fā)的推進，預計2019年14nm投入試產。
另外，中芯國際也開始啟動了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng)、中微建立了長期合作關系。