晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關注。

臺積電技術(shù)長孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）分別訂明后年進行風險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。

臺積電次世代內(nèi)存布局 圖／經(jīng)濟日報提供

這也是臺積電共同執(zhí)行長魏哲家向法人表達不會跨足標準型內(nèi)存，不會角逐東芝分割成立半導體公司股權(quán)后，臺積電再次說明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠，產(chǎn)品技術(shù)時程大幅領先臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導入。

據(jù)了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā)，多年來因難度高，商業(yè)化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠商都都僅限于研發(fā)。

內(nèi)存業(yè)者表示，次世代內(nèi)存中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存（PRAM）等三大次世代內(nèi)存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。

不過，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無人車、AI人工智能、高階智能型手機和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進行商業(yè)化量產(chǎn)。