內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。
不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性。
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不過，這些新興內存技術中，除了少數例外，要發展到能跟DRAM、NAND Flash分庭抗禮的程度，恐怕還需要很長的一段時間，因為DRAM與NAND Flash已具備極為龐大的經濟規模，即便新興內存技術在性能方面明顯優于現有內存，在供貨穩定度、成本方面也未必能與現有內存技術比拚。
有鑒于此，某些新興內存技術選擇朝利基市場發展，搶攻DRAM、NAND Flash不適合應用的領域，例如德州儀器(TI)、柏士半導體(Cypress)、富士通微電子(Fujitsu)的FRAM，便主要鎖定汽車應用或作為微控制器(MCU)的內嵌內存。
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