三星與格羅方德(GF)都以攻擊態(tài)勢(shì)進(jìn)軍晶圓代工事業(yè)，其中以臺(tái)積電為假想敵的三星，更宣稱將比臺(tái)積電更早推出10nm的方案，也會(huì)更早導(dǎo)入EUV的設(shè)備，希望在幾年內(nèi)翻轉(zhuǎn)晶圓代工產(chǎn)業(yè)被臺(tái)積電獨(dú)占利益的格局。

格羅方德也以新的22nm FD-SOI工程架構(gòu)投入新的戰(zhàn)局，除了美國(guó)的工廠擴(kuò)廠之外，落腳成都也讓一度乏人問津FD-SOI，再受到矚目！

市占率排名第一的臺(tái)積電，最近也推出22nm ULP、12nm FFC、7+nm EUV等項(xiàng)目制程應(yīng)戰(zhàn)，其中又以7+nm EUV最受矚目。而根據(jù)內(nèi)部透露，臺(tái)積電下半年7nm多家客戶的十幾個(gè)產(chǎn)品就將進(jìn)入流片(tape-out)。

據(jù)悉，臺(tái)積電原先在導(dǎo)入EUV時(shí)，抱持著消極的態(tài)度，甚至傳言到5nm時(shí)才會(huì)導(dǎo)入。同時(shí)，臺(tái)積電最新的EUV進(jìn)展是，最新ASML曝光機(jī)臺(tái)已經(jīng)可以達(dá)到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過(guò)1,500片12吋晶圓。

但最近面對(duì)格羅方德的積極攻擊時(shí)，選擇了22nm與12nm的制程，迎戰(zhàn)GF的22nm FD-SOI，而三星的10nm計(jì)劃，也深受臺(tái)積電注意。

原先市場(chǎng)的認(rèn)知是，EUV的設(shè)備到5nm世代才會(huì)真正導(dǎo)入，但三星與臺(tái)積電同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的設(shè)備，獲利的當(dāng)然是ASML這些生產(chǎn)設(shè)備的業(yè)者，但也因?yàn)镸ulti-patterning的次數(shù)減少，對(duì)一些生產(chǎn)蒸鍍?cè)O(shè)備的業(yè)者，就會(huì)有不利的影響。

至于FD-SOI的技術(shù)，原先是由ST Micro所研發(fā)的絕緣，并與FinFET具有相互替代效益的技術(shù)。在FinFET技術(shù)的排擠下，F(xiàn)D-SOI一度乏人問津，但在三星與格羅方德相繼導(dǎo)入之后，似乎有了新的轉(zhuǎn)機(jī)。此項(xiàng)技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用時(shí)，具有低耗電的特色，而用于爭(zhēng)取晶圓代工的商機(jī)上也頗受矚目。