本周宣布正式合并中國臺灣地區臺塑旗下存儲廠華亞科的美商存儲大廠美光 (Micron) 在 15 日表示，由于該公司的 3D NAND 閃存產能日前正式超過 2D NAND 閃存。其中，包括第 1 代 3D NAND 閃存的成本也符合預期，堆疊層數達到 64 層的第 2 代 3D NAND 閃存也在已經準備完成，預計將在 2016 年底要正式大規模量產。

根據外媒報導，美光公司財務長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術、媒體及通訊大會上表示，該公司的 3D NAND 閃存產能與 2D NAND 閃存產能已經來到交叉點上。也就是說，3D NAND 閃存的產能，以容量計算，將要超過 2D NAND 閃存。

此外，Ernie Maddock 還表示，美光的第 1 代 3D NAND 閃存在降低生產成本上已經達到預期目標。由于，美光在 2016 年上半年的發展路線上曾指出，未來預計 3D NAND 閃存的成本，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今，已經實現降低 20% 到 25% 的成本。這樣的情況，對于未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規模量產來說，有著其正面的幫助。

目前市場上許多固態硬盤 (SSD) 都已經轉向 3D NAND 閃存。因為，不論是性能，還是容量，或者是使用壽命，3D NAND 閃存都要比傳統 2D NAND 閃存好得多。而且，廠商也會借此來降低生產成本，以提高產量。就美光為例，其所生產的 2D NAND 閃存，主力是 16 納米制程的產品，MLC/TLC 閃存的核心容量不過 128Gb。但是，借由 3D NAND 技術的 MLC 閃存核心容量就有 256Gb，TLC 更是達到 384Gb，大大優于 2D NAND 閃存。

事實上，在轉向 3D NAND 生產方面，實力最強的仍以韓國三星領先，東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次，英特爾 (Intel) 和美光的動作算是比較慢的了。不過，一旦 3D NAND 閃存開始量產，由于容量先天性的優勢，產能超過 2D NAND 閃存將是遲早的事。