中國，上海—2016年11月15日—燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”），今天宣布其YouPHY-DDR系列DDR4，DDR3/LPDDR3子系統通過了中芯國際40納米低漏電工藝流片驗證。根據實測數據，YouPHY-DDR子系統為客戶帶來了低功耗、小面積的高速DDR方案，其傳輸速率成功地在DDR4標準上實現了2400 Mbps，在DDR3/LPDDR3標準上實現了2133 Mbps。

             　　DDR4 2400Mbps 眼圖            LPDDR3 2133Mbps 眼圖

　　YouPHY-DDR是燦芯半導體帶來的一個完整DDR解決方案，不僅包括DDR控制器（controller），PHY和I/O，而且包括特別開發的調試和測試軟件，是一個完整的子系統。該方案是基于中芯國際從40納米到28納米的各種先進工藝而開發，可支持DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4等應用，支持從2133Mbps 到3200Mbps的數據傳輸速率。其特有的動態自校準邏輯（DSCL）和動態自適應比特校準技術(DABC)，可自動補償芯片級、封裝級、板級和存儲器級別的工藝/電壓/溫度（PVT）波動而產生的器件性能差異，以及實現傳輸字節間的斜交自動補償。YouPHY-DDR可以為客戶提供最高性能、最低功耗、最小面積和最快上市時間的DDR接口IP方案。

　　基于獨特的技術，燦芯半導體將會持續為客戶提供先進的高性能、高可靠性的DDR接口IP解決方案，其可實現3200 Mbps傳輸速率的28納米DDR/LPDDR4將會很快通過流片驗證。我們相信YouPHY-DDR將會是您DDR接口IP的最佳方案選擇。

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