國際半導體協會（SEMI）公布數據顯示，7月北美半導體設備訂單出貨比（B/B值）為1.05，并已連續(xù)8個月守穩(wěn)在1以上，表明全球晶圓代工廠與存儲器設備投資加快。另外，今年全球主要集成電路制造企業(yè)的資本支出呈正增長。機構預計，今年全球集成電路產業(yè)或將觸底回暖。

　　數據顯示，2016年至2017年，全球預計新建晶圓廠19座。其中，10座將建于我國，全球半導體產能正加速向我國轉移。機構預計，到2019年，我國集成電路企業(yè)銷售額增速將維持在25%至30%。

　　存儲器是半導體產業(yè)資本支出最高的領域，占整個行業(yè)的38%。存儲器作為我國集成電路支柱產業(yè)，目前主要依賴進口。數據顯示，僅去年前三季度，我國采購了120 億美元的DRAM 和66.7 億美元的NAND flash，分別占到全球消費量的 21.6%和29.1%。存儲器是我國半導體行業(yè)四大產品類型中自給率最低的一個，未來具有較大的發(fā)展空間。

　　目前，我國正斥巨資啟動國家存儲器戰(zhàn)略。今年3月，總投資240億美元的存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動。據了解，這一存儲器基地項目的主要產品為3D NAND，預計到2020年將形成月產能30萬片的生產規(guī)模，到2030年有望建成每月100萬片的產能。另外，紫光集團已明確旗下紫光國芯為其存儲平臺，并已定增800億元用于存儲器戰(zhàn)略。但由于存儲器行業(yè)門檻高，我國在傳統的存儲器領域很難短期內趕超國外同行，所以新型存儲器將成為我國彎道超車的最佳選擇。

　　目前，存儲器市場的三大主流產品分別為DRAM、NAND Flash和NOR Flash。不論是NAND 還是DRAM，在成本和性能等方面都漸漸開始顯露疲態(tài)，因此各大存儲器龍頭均在積極發(fā)展新型存儲器。

　　研究認為，在政策的大力支持下，國內企業(yè)在存儲器領域取得了較大發(fā)展。在3D NAND 方面，去年武漢新芯攜手Spansion已經在存儲器研發(fā)上取得進展，具有9層結構的三維存儲器芯片下線；在PCM和RRAM等新型存儲器方面，國內也有不少企業(yè)和科研單位進行探索，目前我國新型存儲器的專利擁有數已大大超過DRAM和NAND，和國內龍頭企業(yè)的差距相對來說也較小。

　　去年我國存儲器市場規(guī)模達到2842.7億元，市場份額達54.1%。隨著一系列扶持政策的加速落實，集成電路產業(yè)投資力度將逐年加大，存儲芯片產業(yè)將迎來發(fā)展新機遇，耗材、裝備和封測等產業(yè)鏈上下游領域均有望受益。