存儲技術飛速發(fā)展，存儲成本越來越低，但是我們買到的U盤，硬盤容量卻仍然總是會比標稱值少很多，是廠商為了節(jié)約成本還是有其他苦衷？今天，就讓我們從芯片角度，了解一下存儲設備實際容量總是小于標稱值更深層次的原因。
隨著存儲技術的飛速發(fā)展，存儲芯片的存儲密度和存儲速度都得到了很大的提升，而存儲芯片的成本卻在不斷降低，還記得幾年前買個8G的U盤需要60塊大洋，而現(xiàn)在僅需要20多塊錢，手機也從幾年前的4G機身內(nèi)存飆升到現(xiàn)在的64G、128G內(nèi)存。
話雖這么說，但是我們買到手上的貨，不管是優(yōu)盤，硬盤或是手機甚至是存儲芯片，可用的存儲容量很多都和標稱容量不一致，總是會少個幾兆甚至幾G。我們不禁會問，現(xiàn)在存儲成本越來越低，這些廠商怎么還這么摳。而在這里，我要反問一句：8G的芯片，我們能用多少。
說到存儲芯片，種類可謂是五彩繽紛，EEPROM、Nor Flash、Nand Flash、eMMC等等，Nor Flash和Nand Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存芯片，Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，Nand結構可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應地降低了價格。同時由于Nand Flash 擦除速度遠高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存儲領域應用更加廣泛，比如U盤、SSD固態(tài)硬盤和eMMC存儲器里面的主要存儲單元等都是應用的Nand Flash。
還記得我的問題嗎，8G的芯片，我們到底能用多少，實際容量小于標稱容量的情況一般發(fā)生于Nand Flash和eMMC芯片，而eMMC芯片的主要存儲單元也是Nand，Nand Flash雖然背后有無數(shù)光環(huán)，但是家家有本難念的經(jīng)，Nand由于生產(chǎn)工藝及結構的原因，無法避免的會產(chǎn)生壞塊，之前某些廠家也有做過消除壞塊的努力，但是效果都不理想，壞塊是隨機產(chǎn)生的，因此廠家并不能完全控制可用存儲塊的容量，一般eMMC芯片用戶可用的存儲容量都會達到標稱容量的90%以上，比如三星的一款eMMC芯片的存儲容量如下圖:
正是由于壞塊的存在，我們拿到手的芯片，數(shù)據(jù)手冊上明明標明的8G容量，我們卻用不了8G。
其次，很多小伙伴們都有一個誤區(qū)，認為1GB=1024MB=1024KB=1024Byte，這在大部分情況下是正確的，但是其實很多標稱容量是按照1GB=1000MB=1000KB=1000Byte計算，1999年國際電工協(xié)會（IEC）制定了“KiB、MiB、GiB”二進制單位，其實這些單位才是按照1024進行換算的。這樣，我們購買的8G芯片，即使在沒有壞塊的情況下，也只有約為8×1000^3÷1024^3≈7.45G的容量，這個容量是不是很熟悉。目前主流操作系統(tǒng)所采用的存儲單位如下：
微軟、安卓都是采用的是GiB這個單位，而U盤、硬盤很多都是采用的GB這個單位，這也解釋了買到手的U盤少了好幾百兆的問題。
說到這里，問題來了，由于以上這些原因，對于eMMC芯片，由于無法判斷芯片的具體容量，對于芯片的燒錄就會存在很多的麻煩，燒寫超過芯片容量的文件將會導致不良品的出現(xiàn)。目前國內(nèi)ZLG致遠電子P800編程器，通過軟件檢測，在燒寫芯片之前就可以判斷出燒寫文件是否越界，及時提示：
可有效避免不良品的出現(xiàn)，同時，燒錄速度可達到任何eMMC芯片的極限燒錄速度，最大限度提高額燒錄產(chǎn)能。
