新聞要點：

　　·IC-CAP 為建立 GaN 和 GaAs HEMT 模型提供完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案，同時大幅提升測量速度

　　·MBP 支持 用于FDSOI技術(shù)的BSIM-IMG模型

　　·MQA 為混合 SPICE 語法和16-nm TSMC 建模接口（TMI）程序庫提供支持

　　2016 年 3 月 11 日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，推出最新版本的器件建模和表征軟件套件：集成電路表征和分析程序（IC-CAP）2016、模型建立程序（MBP） 2016 和模型質(zhì)量檢驗（MQA）2016。該軟件版本通過在建模和表征效率方面的改進，使設(shè)計師能夠表征并建立半導體器件模型。

　　IC-CAP 2016

　　是德科技的 IC-CAP 2016 軟件是一個可為當今半導體建模工藝提供強大表征與分析能力的器件建模程序。IC-CAP 2016 提供了完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案，用于為功率放大器（PA）應(yīng)用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 建模。IC-CAP 包括測量和建模軟件，以提取先進設(shè)計系統(tǒng)（ADS）DynaFET－一個自行開發(fā)的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型。

　　ADS DynaFET 模型的關(guān)鍵優(yōu)勢是其能夠精確預測由于熱量和捕獲現(xiàn)象所造成的動態(tài)記憶效應(yīng)，這一成果反之又能為預測增益和功率增加效率（PAE）提供前所未有的精度——二者均為射頻 PA 電路設(shè)計中的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)。專用測量軟件可使用是德科技非線性網(wǎng)絡(luò)分析儀（NVNA）收集大信號數(shù)據(jù)。這些波形代表著在不同的射頻功率、偏置點和輸出阻抗處所測得的動態(tài)負載線，然后直接加載至IC-CAP 2016 的提取包。這一模型使用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）來提取，并可直接在 ADS 軟件中使用。

　　IC-CAP 2016 的另一關(guān)鍵特征是為是德科技E5270、B1500A 和 B1505A 儀器驅(qū)動程序提供和之前版本相比達三倍的測量速度的改進。這一速度的提升有助于緩解必須要以極高精度測量大量數(shù)據(jù)所面臨的挑戰(zhàn)；該過程在此前是一個極為耗時的過程。IC-CAP 2016 還增添了新的儀器驅(qū)動程序以支持 是德科技E4990 阻抗分析儀 和 E5061B 網(wǎng)絡(luò)分析儀。