賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 3 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）公布了2016年的“Super 12”特色產品。每年，Vishay都會挑出12款半導體器件和無源元件，這些器件采用新的和改進后的技術，能夠顯著提高終端產品和系統性能。Vishay的Super 12明星精選產品代表了公司在半導體和無源器件領域的領先水平，讓人能夠從中管窺Vishay寬泛的產品組合。

　　2016年的Super 12明星精選產品如下：

　　Vishay T58系列vPolyTan?固鉭表面貼裝片式電容器—T58系列采用聚合物鉭技術和Vishay的高效MicroTan?封裝，實現了業內最好的容量-電壓等級，有6個模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V產品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V產品—具有更高的容積效率，可用于手持式消費電子產品。

　　Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光傳感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封裝，在可穿戴設備、智能手機和粒子探測器中能節省空間，是業內首顆帶獨立通道輸出，可測量真實UV指數的UVA和UVB光傳感器。

　　Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP?系列雙層儲能電容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、備用電源和UPS電源應用，功率密度高達0.041Wh，在2.7V下的電容值從15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封裝。

　　Vishay General Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面貼裝PAR?瞬態電壓抑制器(TVS)—這些器件通過AEC-Q101認證，是業內首批峰值功率耗散達到1500W的雙向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封裝。器件的工作結溫達到+175℃，滿足汽車、工業和通信應用對高可靠性的要求。

　　Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式電阻—PCAN電阻是在氮化鋁襯底上制造的，額定功率達到6W，阻值從2Ω到30kΩ，外形尺寸為1206和2512。電阻適合用在工業、國防和醫療應用中的緩沖電路和載荷、柵極負載和放大器端接電阻。

　　Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N溝道MOSFET—ThunderFET?功率MOSFET的最大導通電阻為4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的導通電阻低60%，在從太陽能微逆變器到電動汽車充電站的各種應用中能大大降低功率損耗，提高效率。

　　Vishay Sfernice PLA51中功率平面變壓器—PLA51平面變壓器的功率從1kW到3kW，尺寸為70mm x 53mm x 22mm，提供超過99%的高效率，典型應用為DC/DC功率轉換器、電動汽車的車載充電器、電源控制冷卻單元和太陽能逆變器。

　　Vishay Siliconix SiC530 VRPower?集成式DrMOS功率級—SiC530將驅動、高邊及低邊MOSFET組合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK?封裝里，占位面積比分立式方案小45%，但卻具有連續電流達30A，峰值電流40A的高功率密度。

　　Vishay Draloric TNPV系列高壓薄膜片式電阻—TNPV薄膜片式電阻是業內首個工作電壓達到1000V的此類器件，能替代更大的電阻和近似外形尺寸的多顆器件，來節省電路板空間，降低成本。這些電阻具有低電壓系數、嚴格的公差和低溫度系數，可用于精確電壓測量。

　　Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封裝，比TO-263(D2PAK)封裝的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源連接通過減少柵極接地回路，提高了性能。

　　Vishay Dale IHLD系列超薄、大電流雙片電感器—IHLD系列器件在汽車和商用D類放大器中能節省空間，兩個IHLP?型電感器垂直地放在3232或4032封裝內。器件具有軟飽和特性，兩個相鄰電感器之間實現低耦合，失真少，可輸出高質量的音頻。

　　Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS?整流器—整流器的電流密度達到40A，采用高度1.3mm的表面貼裝SlimDPAK封裝。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封裝薄57%，散熱面積多14%，熱性能更好。