ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor公司（藍(lán)碧石半導(dǎo)體）面向需要高頻日志數(shù)據(jù)采集和緊急時(shí)的高速數(shù)據(jù)備份的智能儀表、醫(yī)療保健設(shè)備、汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)等，開(kāi)發(fā)出搭載串行總線(xiàn)的64Kbit鐵電存儲(chǔ)器注1（以下稱(chēng)“FeRAM”）“MR44V064B / MR45V064B”。

　　作為下一代非易失性存儲(chǔ)器而備受期待的FeRAM，與已普及的一般非易失性存儲(chǔ)器相比，具有“高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)”、“高擦寫(xiě)耐久性”、“低功耗”的特點(diǎn)，因此，是一種有助于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的節(jié)電化和高性能化的器件。

　　新產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的1.8V最低工作電壓，而且2節(jié)鎳氫充電電池也可使用FeRAM。2節(jié)AAA充電電池可實(shí)現(xiàn)約11年的擦寫(xiě)壽命（每秒擦寫(xiě)64Kbit時(shí)）等優(yōu)勢(shì)，非常有助于應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)時(shí)間的驅(qū)動(dòng)，還可擴(kuò)大應(yīng)用到便攜設(shè)備和IoT領(lǐng)域。另外，支持的最大工作頻率高達(dá)40MHz（SPI總線(xiàn)），僅1.64msec即可完成64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫(xiě)，因此，即使系統(tǒng)發(fā)生異常也可進(jìn)行超高速備份，從而保證數(shù)據(jù)的高可靠性。不僅如此，還具備兩種不同的串行總線(xiàn)(I2C總線(xiàn)、SPI總線(xiàn))，可靈活應(yīng)對(duì)客戶(hù)的系統(tǒng)規(guī)格。

　　本產(chǎn)品已從2016年1月起開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售（樣品價(jià)格 500日元/個(gè)，不含稅）。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(chǎng)（京都市），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律賓）。

　　今后，藍(lán)碧石半導(dǎo)體還會(huì)繼續(xù)開(kāi)發(fā)省電且高性能的產(chǎn)品，不斷完善能夠滿(mǎn)足客戶(hù)需求的、具備各種容量和接口等的產(chǎn)品陣容。

　　＜背景＞

　　近年來(lái)，隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢(shì)，不僅車(chē)載、工業(yè)設(shè)備，幾乎在所有應(yīng)用中均要求實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的低電壓化。同時(shí)，隨著高性能化發(fā)展，數(shù)據(jù)量日益增加，還要求更高速地將信息讀取/寫(xiě)入到存儲(chǔ)器。

　　藍(lán)碧石半導(dǎo)體利用ROHM的鐵電存儲(chǔ)器制造技術(shù)和藍(lán)碧石半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)雙重優(yōu)勢(shì)，從2011年開(kāi)始　逐步擴(kuò)充FeRAM系列產(chǎn)品。

＜特點(diǎn)＞

　　1.最低工作電壓1.8V，可實(shí)現(xiàn)電池的長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)

　　利用ROHM的低功耗鐵電工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及確保低電壓下選擇存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的晶體管柵極電位，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的1.8V最低工作電壓。

　　由此，僅2節(jié)鎳氫充電電池也可使用存儲(chǔ)器。例如，用2節(jié)AAA充電電池按每秒每次64Kbit（原稿紙約10張）持續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫(xiě)，也可工作約11年，因此還可應(yīng)用于需要長(zhǎng)時(shí)間電池驅(qū)動(dòng)的IoT領(lǐng)域。

　　2.實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高速工作

　　通過(guò)減輕存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的鐵電電容選擇時(shí)的選擇器負(fù)載，實(shí)現(xiàn)了超高速　存取。I2C支持業(yè)界頂級(jí)工作頻率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持業(yè)界頂級(jí)的高達(dá)40MHz的工作頻率，從而增強(qiáng)了FeRAM的優(yōu)勢(shì)之一----高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)特點(diǎn)。

　　64Kbit的數(shù)據(jù)擦寫(xiě)時(shí)間僅需1.64msec，速度非常快，因此即使發(fā)生停電等意外電壓下降故障，也可在斷電前備份數(shù)據(jù)，因此數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)非常低，無(wú)需配置用于應(yīng)對(duì)停電的延長(zhǎng)供電的部件。非常適用于要求高速性且高數(shù)據(jù)保存安全性的應(yīng)用。

　　【規(guī)格概要】

　　【銷(xiāo)售計(jì)劃】

　　-產(chǎn)品名                                          ：MR44V064B  /  MR45V064B

　　-量產(chǎn)銷(xiāo)售時(shí)間                                          ：2016年1月起

　　-量產(chǎn)銷(xiāo)售數(shù)量                                          ：月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)

　　-樣品價(jià)格                                          ：500日元/個(gè)（不含稅）

　　【應(yīng)用領(lǐng)域】

　　工業(yè)設(shè)備、汽車(chē)配件、醫(yī)療設(shè)備、便攜設(shè)備、IoT領(lǐng)域

　　【術(shù)語(yǔ)解說(shuō)】

　　注1　鐵電存儲(chǔ)器

　　鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric Random Access Memory）是即使斷電也可保存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器之一，

　　存儲(chǔ)元件采用鐵電電容，具有高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)、高擦寫(xiě)耐久性以及低功耗的特點(diǎn)。