加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2015 年 7 月 7 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTPoE++?、PoE+ 和 PoE 兼容受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4276，該器件面向需要 2W 至 90W 功率的應(yīng)用。LT4276 集成了一個 PD 控制器和一個隔離式開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，能夠在輔助電源的支持下以正激和反激式拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)同步工作。這種集成通過減少組件數(shù)量和所占用的電路板面積，簡化了前端 PD 設(shè)計(jì)，從而允許 LT4276A (LTPoE++)、LT4276B (PoE+) 和 LT4276C (PoE) 僅用一個 IC 高效地為 PD 負(fù)載供電。

       通過將功率預(yù)算擴(kuò)展至 4 個新的功率級 (38.7W、52.7W、70W 和 90W)，凌力爾特的 LTPoE++ 標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展了對如今那類功率非常高的應(yīng)用之支持，例如微微蜂窩基站、標(biāo)牌和室外安防攝像機(jī)。與集成功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同，LT4276 控制一個外部 MOSFET，以顯著地降低 PD 產(chǎn)生的總體熱量并最大限度提高電源效率，這在較高功率級時尤其重要。這種新方法允許用戶按照應(yīng)用的具體熱量及效率要求調(diào)整 MOSFET，從而允許在必要時使用 RDS(ON) 低至 30m? 的MOSFET。100V 額定輸入電壓意味著，LT4276 很容易承受最常見的以太網(wǎng)電壓浪涌而不被損壞，并針對這種浪涌保護(hù) PD。

       LT4276 有工業(yè)和擴(kuò)展溫度級版本，分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作溫度范圍，采用符合  RoHS  標(biāo)準(zhǔn)的小型 28 引線 4mm x 5mm QFN 封裝。LT4276 的千片批購價為每片 2.25 美元，已開始批量供貨。LT4276 提供了從凌力爾特現(xiàn)有 PD 產(chǎn)品升級的途徑，包括 LT4275 LTPoE++ PD 控制器，LT4276 還可無縫地連接至任何凌力爾特最新的 PSE 控制器，包括單端口 LTC4274、4 端口 LTC4266、8 端口 LTC4290 / LTC4271 芯片組和 12 端口 LTC4270 / LTC4271 芯片組。LT4276 還可以與 LT4321 理想二極管橋式控制器一起使用，以最大限度提高可用功率，并減少在 PD 產(chǎn)生的熱量。

性能概要：LT4276

· 具正激 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++ 90W 受電設(shè)備控制器

· LT4276A 支持以下所有標(biāo)準(zhǔn)：

o LTPoE++ 38.7W、52.7W、70W 和 90W

o 符合 IEEE 802.3at (25.5W) 規(guī)范

o 符合 IEEE 802.3af (高達(dá) 13W) 規(guī)范

· LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 規(guī)范

· LT4276C 符合 IEEE 802.3af 規(guī)范

· 出色的浪涌保護(hù) (100V 絕對最大值)

· 寬結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

· 低至 9V 的輔助電源支持

· 反激式操作無需光隔離器

· 外部熱插拔 (Hot Swap?) N 溝道 MOSFET 用于實(shí)現(xiàn)最低功耗和最高的系統(tǒng)效率

· 利用 LT4321 理想二極管橋可實(shí)現(xiàn) >94% 的端到端效率

· 采用 28 引線 4mm x 5mm QFN 封裝