整體半導體產業正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經展示了如何利用標準CMOS制程技術來達成以上目標。
上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術，現在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。
IBMResearch先進功能材料部門經理、CMOS專家JeanFompeyrine表示：“我們以塊狀矽而非SOI晶圓片著手，首先放上氧化層，然后做一個溝槽通過下面的矽晶圓;接著以其為根源長出砷化銦鎵──這是可制造性非常高的程序。”
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