面對(duì)英特爾（Intel）、三星（Samsung）雙雙宣布旗下14納米鰭式場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FinFET）處理器正式邁入量產(chǎn)，臺(tái)積電亦不甘示弱，將于今年第二季量產(chǎn)16納米FinFET強(qiáng)效版制程（16FF+），拉升芯片效能和功耗表現(xiàn)；此外，安謀國(guó)際（ARM）與賽靈思（Xilinx）也已接連揭橥  16FF+相關(guān)產(chǎn)品藍(lán)圖，將有助臺(tái)積電在1x納米制程市場(chǎng)扳回一城。

　　工研院IEK電子組系統(tǒng)IC與制程研究部研究經(jīng)理彭茂榮表示，臺(tái)積電挾在晶圓代工領(lǐng)域長(zhǎng)久累積經(jīng)驗(yàn)，在短時(shí)間內(nèi)將原先規(guī)畫的16納米FinFET升級(jí)為效能更強(qiáng)、功耗更低的16FF+，并將量產(chǎn)時(shí)間提前至2015年第二季，目的除追趕半導(dǎo)體一哥英特爾發(fā)展腳步外，亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14納米已先一步投產(chǎn)，但從16FF+良率與性能不斷攀升，且可望在今年底前完成數(shù)十  件設(shè)計(jì)定案（Tape Out）的進(jìn)度來(lái)看，2015年16FF+市占率可望先蹲后跳。

　　安謀國(guó)際移動(dòng)通訊暨數(shù)位家庭部門資深市場(chǎng)經(jīng)理林修平指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨電晶體制造技術(shù)由平面轉(zhuǎn)向立體式的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)，因此該公司也加緊與臺(tái)積電展開16FF+設(shè)計(jì)驗(yàn)證，并已正式發(fā)布16FF+  POP（Process Optimization  Pack）矽智財(cái)（IP），以及支援該制程的Cortex-A72、Mali-T880等處理器核心，將有助系統(tǒng)單晶片（SoC）合作夥伴加速實(shí)現(xiàn)基于  FinFET架構(gòu)的解決方案。

　　相較于三星14納米制程目前僅能用于自家處理器的進(jìn)展，臺(tái)積電與安謀國(guó)際聯(lián)手出擊，對(duì)16FF+制程推廣將大有助益。事實(shí)上，安謀國(guó)際也坦言，其與多家晶圓廠合作，分別發(fā)展16和14納米制程，但目前僅揭橥16FF+  POP IP，在14納米方面則尚未有對(duì)應(yīng)方案；此也讓未來(lái)的1x納米FinFET技術(shù)戰(zhàn)局更添變數(shù)。

　　賽靈思全球資深副總裁暨亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立  人強(qiáng)調(diào)，看中16FF+的效能功耗比更加出色，賽靈思也延續(xù)與臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)上的合作，宣布將于今年第二季量產(chǎn)新系列16納米系統(tǒng)單晶片現(xiàn)場(chǎng)可編程 閘陣列（SoC  FPGA）--UltraScale+，可望較先前28納米方案提高二到五倍的效能功耗比，進(jìn)而滿足5G行動(dòng)通訊網(wǎng)路、400G光傳輸網(wǎng)路，以及  8K×4K影像處理機(jī)制等前瞻科技的先期研發(fā)需求。

　　臺(tái)積電透露，相較于平面式電晶體結(jié)構(gòu)的20納米制程，16FF+速度增快40%，在相  同速度下功耗則降低50%，系建構(gòu)下世代高階行動(dòng)運(yùn)算、網(wǎng)通及消費(fèi)性產(chǎn)品SoC的關(guān)鍵利器；現(xiàn)階段，16FF+已開始試產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年中全面導(dǎo)入量產(chǎn)，并將  于11月前完成所有可靠性驗(yàn)證，年底前則可望發(fā)表近六十件設(shè)計(jì)定案。