全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
IRFH4257D采用IR的新一代硅技術和封裝專利技術，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅動器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時實現更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”
IRFH4257D符合工業級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，所采用的物料清單環保、不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
規格
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器件 |
PQFN 封裝尺寸 |
電流 額定值 |
4.5V下的典型/ 最大導通電阻 |
4.5V下的典型QG (nC) |
4.5V下的典型QGD (nC) |
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IRFH4257D |
4x5 |
25A |
3.7 / 4.6 1.65 / 2.1 |
10 23 |
3.4 7.6 |
產品現正接受批量訂單。相關數據請瀏覽IR網站www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司（簡稱 IR，紐約證交所代號 IRF）是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗（電機是全球最大耗能設備），是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。