意法半導體（ST）在法國克洛爾（Crolles）制造基地正式啟動Nano2017研發項目
2013-07-29
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）近日宣布，法國總理Jean-Marc Ayraul、法國工業部部長Arnaud Montebourg、高等教育與科研部部長Genevieve Fioraso和主管工業部中小企業、技術創新和數字經濟的代表Fleur Pellerin，以及國家、地區和當地政府官員和意法半導體的管理層齊聚意法半導體位于法國格勒諾布爾（Grenoble）近郊克洛爾（Crolles）的制造基地，慶祝Nano2017研發項目正式啟動。出席該啟動儀式的還有意法半導體在Nano2017研發項目中的主要合作伙伴中包括CEA-Leti 實驗室和IBM。
Nano2017是一個為期五年、由上市公司和私營企業合作的戰略性研發項目，意法半導體為項目負責人，匯集眾多科研機構和企業，包括世界知名的法國科研實驗室CEA-LETI （自意法半導體Crolles制造基地于1992年成立起就開始合作）、多家大學科研小組、材料和設備制造商、供應商和CAD知識產權專業公司、系統集成公司和歐洲的其它利益相關者以及中小企業(SME)。該項目得到法國政府以及歐盟ENIAC聯合技術平臺計劃(Joint Technology Initiative，簡稱JTI計劃)的大力支持。為該項目融資必須經過歐盟的批準。
Nano2017項目將加強意法半導體在重要技術領域的領導地位：FD-SOI[1] (低功耗高性能制造工藝)、下一代影像技術(傳感器和圖像信號處理器)[2] 和下一代非易失性存儲器[3]。這些是意法半導體的嵌入式處理解決方案的核心技術。意法半導體嵌入式處理解決方案包括微控制器、影像解決方案、數字消費電子、應用處理器和數字ASIC。嵌入式處理技術主要是在意法半導體位于法國克洛爾（Grenoble）、格勒諾布爾（Grenoble）、盧賽（Rousset）和索菲亞·安提波利斯（Sophia Antipolis）的研發中心研發。關于嵌入式處理解決方案，意法半導體將專注于一個預計將在2013年達到670億美元的目標市場[4]，公司擁有巨大的增長潛力，可望進一步提高市場份額。
[1]FD-SOI (全耗盡型絕緣層上硅)是下一代制造工藝，能夠解決晶體尺寸降至10s或100s原子極限而引起的大多數挑戰。當現有的硅制造工藝技術在28nm及以下時，因為泄漏電流的影響，能效變得越來越低。FD-SOI是一項速度快、散熱低且簡單的制造技術。
[2]影像傳感器和圖像信號處理器的開發成果預計會實現超凡的高能效、安全、便利和健康等應用。夢想擁有一臺人離開時會自動關閉屏幕的電視機，能夠辨認車主的汽車，能夠辨認房主的房子，能夠偵測病毒（或病菌）異常發展的醫療設備，隨著影像技術不斷取得進步，這些夢想都會變為現實。
[3] 嵌入式非易失性存儲器(Embedded Non-Volatile Memory, eNVM)是所有系統芯片的重要組件。嵌入式非易失性存儲器起到片上程序或數據存儲器的作用，系統可以將固件、安全代碼、校準數據等應用關鍵信息安全地保存在嵌入式非易失性存儲器內，即便系統掉電時，存儲的內容也不會丟失。
[4]來源:WSTS