英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。

通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。

英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。

作為半導體行業的全球領袖，英飛凌目前正在和多家半導體公司進行專利許可談判。英飛凌認為，這些談判對持續保護其知識產權和商業利益至關重要。

InfineonRelease" style="text-indent: 18.05pt; margin: 0cm 0cm 0pt; text-autospace: ideograph-numeric; mso-char-indent-count: 2.0"> 關于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、連通性和安全性提供半導體和系統解決方案。2008財年（截止到9月份），公司實現銷售額43億歐元，在全球擁有約29,100名雇員。英飛凌科技公司的業務遍及全球，在美國苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市。

英飛凌在中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有1300多名員工，已經成為英飛凌亞太乃至全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。