全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調）、PC服務器和太陽能發電系統等電力電子產品。
　　
　　最近，為了應對環保問題，降低電氣設備功耗，提高電氣產品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉換效率，以降低空調、通信基站、PC服務器和太陽能發電系統等產品的電源轉換電路的功耗，以及電機和工業設備等應用的逆變電路的功耗的趨勢日漸增強。這刺激了對具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求。為此，瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）產品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復合功率器件系列，這可通過結合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實現電路（開關、電源轉換等）設計。
　　
　　這些新產品的額定峰值電壓為600 V，并使用基于日立株式會社與瑞薩電子聯手開發的低漏電流SiC-SBD技術的碳化硅二極管。它們將低損耗與緊湊設計加以完美結合，并采用5針TO-3P封裝，而引腳分配則針對具體應用進行了優化，因而很容易在配置電路單元時使用這些器件。
　　
　　三款全新SiC功率器件的主要特性：
　　•(1) 面向臨界導通模式PFC應用的RJQ6020DPM器件
　　RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個SiC-SBD和兩個高壓功率MOSFET，適用于空調或平板電視電源開關電路等臨界導通模式PFC應用。
　　SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實現100 mΩ低導通電阻的高效超結（SJ-MOS）晶體管。
　　全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導通模式PFC-IC結合應用，因而很容易實現交錯控制。
　　
　　•(2) 面向連續導通模式PFC應用的RJQ6021DPM器件
　　RJQ6021DPM器件在單一封裝中結合了一個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于通信設備和PC服務器中的AC/DC整流器等PFC應用。
　　SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓，這適用于連續導通模式PFC應用。
　　全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續導通模式PFC-IC結合應用，因而很容易實現交錯控制。
　　
　　•(3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件
　　RJQ6022DPM器件在單一封裝中結合了兩個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于空調和工業機械中電機驅動半橋式逆變電路應用。
　　SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓和6微秒（μsec.）的短路時間（tsc），這適用于電機驅動應用。
　　一個RJQ6022DPM器件足以實現一個半橋式電路設計，而兩個則可以用于實現全橋配置，三個可用于實現三相橋電路設計。除簡化電機驅動電路的設計外，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分，與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供。
　　聚焦全新系列的高壓碳化硅復合功率器件，其開發是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案，同時讓瑞薩電子躋身全球功率器件領袖行列。瑞薩電子計劃推出將全新碳化硅復合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結合的套件解決方案。目前正在規劃裝有全新碳化硅復合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板，幫助客戶進行套件評估和產品設計。
　　
定價與供貨
　　瑞薩電子全新碳化硅復合功率器件的樣品計劃于2012年2月上市，單價為10美元。瑞薩計劃在2012年5月開始批量生產，預計在2013年4月的月總產量達到30萬件。（定價和供貨信息若有變更，恕不另行通知。）
　　（備注）所有注冊商標或商標均為其各自所有者的財產。
　　
【附件】
　　碳化硅復合功率器件的產品規格
　　[常用規格]
　　•額定通道溫度（Tch）：+150℃
　　封裝：5針TO-3PFM
　　[RJQ6020DPM器件的規格（面向臨界導通模式PFC應用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/高性能SJ-MOSFET
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•SJ-MOSFET額定電流：20 A
　　•SJ-MOSFET導通電阻（Ron）0.1 Ω（VG = 10 V，ID = 10 A）
　　•SJ-MOSFET反向恢復時間（trr）：120 ns（ID = 10 A）
　　[RJQ6021DPM器件的規格（面向連續導通模式PFC應用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/超薄晶圓IGBT
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導通電壓（Vsat）：1.5 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
　　•IGBT關斷時間（tf）：60 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
　　[RJQ6022DPM器件的規格（面向半橋式逆變電路）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：超薄晶圓IGBT/SiC-SBD /超薄晶圓IGBT/SiC-SBD
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導通電壓（Vsat）：1.4 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
　　•IGBT關斷時間（tf）：70 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
　　•短路時間（tsc）：6.0微秒 標準（Vcc = 360 V，VGE = 15 V）