本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級(jí)選擇的影響。

先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求

許多工業(yè)系統(tǒng),如測(cè)試測(cè)量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計(jì)算能力日益增加。這種計(jì)算能力由DSP 、FPGA 、數(shù)字ASIC 和微控制器 提供,而得益于工藝幾何尺寸的日益縮小,該類器件在不斷的進(jìn)步。另一方面,這也帶來(lái)了三大要求：第一,電源電壓越來(lái)越低 (當(dāng)然,還有容許的電壓紋波和負(fù)載變化);其次,電源電流逐漸變大;第三,這些IC 通常需要為內(nèi)核和I/O結(jié)構(gòu)以準(zhǔn)確的順序提供單獨(dú)的電壓,以避免閂鎖現(xiàn)象的發(fā)生。

嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器必須具有出色的效率。這類轉(zhuǎn)換器的可用空間很小,對(duì)于熱設(shè)計(jì)尤其具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)榍度胧睫D(zhuǎn)換器主要依賴PCB 上元件周圍的銅面積來(lái)改善系統(tǒng)熱阻抗。由于功耗與電流的平方成正比,隨著負(fù)載電流的增加,這種情形會(huì)更加惡化。因此這時(shí)需要低導(dǎo)通阻抗RDSON、低開(kāi)關(guān)損耗的電源開(kāi)關(guān)。不過(guò)鑒于器件的導(dǎo)通阻抗RDSON越低,寄生電容 乃至開(kāi)關(guān)損耗就越高,最終功耗也越高,故必需進(jìn)行一定的權(quán)衡取舍。嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的另一個(gè)主要要求是EMI必需低。這些轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的噪聲會(huì)對(duì)周圍的電路造成干擾,因而必須盡可能地小。不過(guò),高速 (以降低開(kāi)關(guān)損耗) 轉(zhuǎn)換大電流 (若負(fù)載所需) 不可避免地會(huì)產(chǎn)生很大的開(kāi)關(guān)噪聲,包括傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲 (主要是磁場(chǎng))。因此,必需特別關(guān)注功率級(jí)元件選擇和布局的優(yōu)化,尤其是在驅(qū)動(dòng)器連接方面。此外,PWM控制拓?fù)湟灿幸欢ㄓ绊憽?br />
舉例來(lái)說(shuō),采用0.09μm技術(shù)的數(shù)字IC可能需要1.2V ± 40mV的電源電壓。根據(jù)該DSP的數(shù)據(jù)表,其電源電流可高達(dá)952mA。另一個(gè)例子是65nm工藝制造的大尺寸FPGA,1.0V +/-50mV電源電壓、85℃時(shí),需要4.2 A的閑置電源電流。在工作模式下,按照具體配置情況,電流可增至18A,因在高開(kāi)關(guān)頻率下,動(dòng)態(tài)要求非常高。

這些應(yīng)用中包含多個(gè)不同IC相當(dāng)常見(jiàn),譬如,由一個(gè)較小的微控制器 (電源電壓較高時(shí)) 來(lái)負(fù)責(zé)所有的接口和主機(jī)功能,利用一個(gè)較大的DSP或?qū)Ｓ糜布?lái)執(zhí)行計(jì)算密集型功能。很多時(shí)候,還專門使用另有一套電壓要求的高性能A/D轉(zhuǎn)換器來(lái)改善噪聲性能,真正充分利用這些轉(zhuǎn)換器的分辨率和帶寬。這些趨勢(shì)催生出具有眾多相倚關(guān)系的復(fù)雜的功率管理系統(tǒng)。

模塊化控制提升系統(tǒng)設(shè)計(jì)

一個(gè)應(yīng)用建議是把DC-DC轉(zhuǎn)換器盡可能靠近負(fù)載放置。這樣做可以把EMI降至最低、減小寬的大電流線跡所占用的板空間,并改進(jìn)轉(zhuǎn)換器的動(dòng)態(tài)特性。“分布式”功率管理系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生,在這種系統(tǒng)中,所有轉(zhuǎn)換器都理想地彼此相連。能夠與其它轉(zhuǎn)換器在網(wǎng)絡(luò)中協(xié)同工作的一個(gè)控制器例子是FD2004,如圖1的模塊示意圖所示。



FD2004是Digital-DC產(chǎn)品系列的一員,整合了數(shù)字環(huán)路控制和高集成度功率管理功能。這種控制器及其同系列產(chǎn)品,可通過(guò)SMBus (系統(tǒng)管理總線) 與主控制器和其它DC-DC轉(zhuǎn)換器相連接,輕松實(shí)現(xiàn)許多不同的功能,如轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)內(nèi)配置、上電順序、余量功能 (margining)、故障保護(hù)以及系統(tǒng)監(jiān)控。所有這些功能都有助于縮短上市時(shí)間,更重要的是,提高系統(tǒng)可靠性。

FD2004可以與外部柵極驅(qū)動(dòng)器 (如FD1505) 和分立式MOSFET ,或是集成了驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的單封裝DrMOS產(chǎn)品協(xié)同工作。它還可以在獨(dú)立式應(yīng)用中通過(guò)電阻 來(lái)編程—特別地,輸出電壓的最大值由電阻設(shè)定,且利用軟件命令設(shè)定的電壓最大值不得超過(guò)10%以上,以保護(hù)負(fù)載。在需要較大電流的應(yīng)用中,如多相轉(zhuǎn)換器,所選的架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)多達(dá)8個(gè)相位的電流共享,而且可在輸出功率較低時(shí)實(shí)現(xiàn)切相 (phase shedding) 來(lái)保持高效率。該款控制器基于帶自適應(yīng)性能算法和環(huán)路補(bǔ)償?shù)臄?shù)字控制環(huán)路,支持高達(dá)1.4MHz的開(kāi)關(guān)頻率。時(shí)鐘同步可協(xié)助提升EMI性能。對(duì)于同時(shí)需要集成式驅(qū)動(dòng)器和分立式外部MOSFET的應(yīng)用,FD2006也是個(gè)不錯(cuò)的選擇。

對(duì)輸出電流較低的系統(tǒng)電壓,集成式DC-DC轉(zhuǎn)換器值得推薦,此時(shí),PCB面積和易于使用都是最重要的考慮因素。數(shù)字轉(zhuǎn)換器,如FD2106 (6A max),象Digital-DC系列的其它產(chǎn)品一樣具有通信功能,可與分立式MOSFET或基于DrMOS等能提供更大電流的轉(zhuǎn)換器一起使用。對(duì)獨(dú)立式應(yīng)用而言,由于不需要與系統(tǒng)內(nèi)其它轉(zhuǎn)換器連接,還可以采用集成式轉(zhuǎn)換器 (如飛兆半導(dǎo)體 的FAN2106)。

數(shù)字功率管理系統(tǒng)的控制器和轉(zhuǎn)換器鏈可通過(guò)圖形用戶接口來(lái)控制,很容易對(duì)所有參數(shù)和系統(tǒng)性能監(jiān)控進(jìn)行修正。這種軟件運(yùn)行在PC機(jī)上,并經(jīng)由USB接口與控制器連接。當(dāng)參數(shù)全都良好時(shí),它們被儲(chǔ)存在控制器的非易失性存儲(chǔ)器 中,這樣PC機(jī)就不再需要運(yùn)行系統(tǒng)了。

如圖2所示的DC-DC功率級(jí)可采用不同方式設(shè)計(jì),以同時(shí)獲得最佳電氣性能和熱性能。



1.帶驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的分立式解決方案現(xiàn)在仍在普遍使用。為滿足所有設(shè)計(jì)要求,現(xiàn)在飛兆半導(dǎo)體提供的采用小尺寸熱性能增強(qiáng)型MLP(QFN) 封裝的產(chǎn)品,可獲得高系統(tǒng)性能。MOSFET實(shí)現(xiàn)了首先采用MLP封裝(見(jiàn)圖3所示)。其Power56和Power33產(chǎn)品系列采用最新的PowerTrench技術(shù),能夠同時(shí)提供超低RDSon 和低Qg,從而適用于高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用。鍵合技術(shù)可減小封裝的電感 ,提高封裝有限的ID ,適用于大電流應(yīng)用。其低端FET產(chǎn)品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管 ,在實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)性能的同時(shí)降低了熱耗。



FDMS9600S在一個(gè)不對(duì)稱的Power56封裝內(nèi)集成了一個(gè)高端FET和一個(gè)低端SyncFET,可進(jìn)一步提高熱性能,并實(shí)現(xiàn)小尺寸的緊湊型PCB設(shè)計(jì) (圖4)。




2.上述帶驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的分立式解決方案也備有8x8mm或6x6mm MLP封裝的MCM(多芯片 模塊)。這些DrMOS(DriverMOS)產(chǎn)品系列包括 8x8mm產(chǎn)品FDMD87xx和6x6mm產(chǎn)品FDMF67xx,可滿足不同的設(shè)計(jì)要求。而評(píng)估板則可協(xié)助設(shè)計(jì)人員熟悉應(yīng)用,并測(cè)試性能以便與分立式解決方案相比較(圖5)。



帶有Power56 MOSFET和SO-8驅(qū)動(dòng)器的分立式解決方案的板卡占位面積在120mm2左右,而MCM只需要64mm2或36mm2。后者模塊中的各個(gè)器件經(jīng)精心挑選并全面優(yōu)化,相比分立式解決方案其性能更高,熱性能也更好 (圖6和圖7)。受電腦行業(yè)的推動(dòng),這種解決方案可使電流高達(dá)30A,并針對(duì)最高1MHz的開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化。甚至在大電流設(shè)計(jì)中即使考慮到熱設(shè)計(jì)規(guī)則,也無(wú)需散熱器,因系統(tǒng)中空氣流對(duì)于該芯片散熱是足夠的。



 

3.最終全集成開(kāi)關(guān)將使功率級(jí)設(shè)計(jì)更迅速易行。除了Digital-DC系列的FD2106之外,FAN210x TinyBuck系列也可為3A FAN2103和6A FAN2106應(yīng)用提供全集成同步降壓功能 (圖8)。



整個(gè)IC采用MLP封裝,大小僅5x6mm,有助于設(shè)計(jì)的緊湊性,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)最佳熱性能和高效率。

更高的集成度乍看似乎會(huì)導(dǎo)致更高的材料清單 (BOM) 成本,但綜合考慮所有的優(yōu)勢(shì),如節(jié)省空間、熱性能更好、無(wú)源元件更少等,事實(shí)上反而會(huì)降低最終的系統(tǒng)成本。這樣一種全集成的解決方案還支持高系統(tǒng)可靠性,因?yàn)樵缴僖馕吨收巷L(fēng)險(xiǎn)越低,而且考慮到熱設(shè)計(jì)規(guī)則,更低的系統(tǒng)溫度也十分重要。

在設(shè)計(jì)任務(wù)中,熱設(shè)計(jì)是非常重要的一環(huán)。利用現(xiàn)今的MOSFET、DrMOS或柵極驅(qū)動(dòng)器,一般可獲得相當(dāng)好的結(jié)到管殼熱阻抗,但管殼到周圍環(huán)境的熱阻抗取決于設(shè)計(jì),且通常要高得多。在大多數(shù)系統(tǒng)中,若只利用PCB,熱阻抗 (管殼到周圍環(huán)境) 在40K/W左右,最好的設(shè)計(jì)能夠達(dá)到25K/W 這仍比結(jié)到管殼熱阻抗高很多,對(duì)MOSFET而言,后者的典型值為2K/W。因此,PCB的熱設(shè)計(jì)非常重要,因?yàn)檫@兩個(gè)熱阻抗都是串聯(lián)的,并影響PCB的最高溫度,而這通常正是限制因素 (若結(jié)到管殼熱阻抗低,結(jié)溫就不可能比PCB的高太多)。

對(duì)于更大的電流,為了讓熱量擴(kuò)散到更大的表面上,多相的分立式解決方案(如2-3個(gè)DrMOS器件) 是首選。另一個(gè)權(quán)衡是開(kāi)關(guān)頻率―如果不是因EMI要求或空間限制而預(yù)先確定 (利用更高的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)減小無(wú)源元件的尺寸),更低的開(kāi)關(guān)頻率有助于降低開(kāi)關(guān)損耗,并最終降低溫度。

至于版圖布局,金屬較多顯然很有助益。更厚的頂層有助于降低溫度,不過(guò)也許對(duì)PCB的其余部分并不適合,因?yàn)槌杀驹黾恿?其它元件需要的更精細(xì)的間距也不可能實(shí)現(xiàn)。更大的銅面積很有用,但又會(huì)消耗PCB空間。這些應(yīng)該盡可能由焊料覆蓋,因?yàn)榻饘俦砻姹韧科岜砻娴纳嵝愿谩Ｔ诙鄬覲CB中,有時(shí)利用內(nèi)層來(lái)協(xié)助散熱。熱通孔 (填充焊料) 有時(shí)可用來(lái)把熱量擴(kuò)散到PCB的另一面去 (圖9)。



對(duì)于強(qiáng)迫空氣對(duì)流式的系統(tǒng),元件布局時(shí)需注意的是,不要把轉(zhuǎn)換器放在其它更大尺寸元件的“風(fēng)陰影”里。建議把控制器置于MOSFET的上游,這樣不會(huì)增加多少功耗,而在較低外殼溫度下工作更可靠。

小結(jié)

現(xiàn)代嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器受益于眾多不同的技術(shù)方案,能夠提高系統(tǒng)性能和可靠性,并降低成本。在獨(dú)立式轉(zhuǎn)換器或互連數(shù)字轉(zhuǎn)換器之間的控制端上,以及在集成式或分立式解決方案之間的功率級(jí)端上的相倚關(guān)系顯示出,可以對(duì)工作在網(wǎng)絡(luò)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器進(jìn)行優(yōu)化,并獲得最低功耗。