從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
– 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更快。
帶寬和能耗
– 在應用高度融合的電子系統(tǒng)中，為了加快上網速度，采用帶寬衡量系統(tǒng)性能；為了增強產品的移動使用性，采用功耗評價系統(tǒng)性能。存儲器設計必須支持市場對擴大帶寬和降低功耗的日益增長的需求。非易失性固態(tài)存儲器是降低功耗的最佳方法。
存儲器系統(tǒng)
– 為提高電子系統(tǒng)的總體性能，設計人員越來越關注存儲器系統(tǒng)的容量、技術性能、封裝和接口等參數(shù)。
緩存
– “存儲器系統(tǒng)”概念不支持根據(jù)技術給存儲器分類，而支持根據(jù)最終設備的帶寬需求給存儲器分類，從而在克服存儲器技術上存在的設計難題，通過暫時保留并優(yōu)化組合不同的存儲器技術，以降低產品的成本，提升系統(tǒng)性能。
帶寬分類
從較高層次上說，我們可以考慮三大帶寬類別：代碼、數(shù)據(jù)流和數(shù)據(jù)存儲。
代碼
– 讀取速度是決定代碼執(zhí)行性能的主要因素。當采用下列模式之一時，代碼執(zhí)行性能取決于執(zhí)行速度：片內執(zhí)行(XIP)：采用NOR閃存需要大帶寬，隨機讀取速度快；存儲和下載(S&D)：采用NAND+DRAM存儲器。S&D是容量大于1Gb的代碼存儲應用廣泛采用的方法。
數(shù)據(jù)流
– 影響數(shù)據(jù)流性能的主要因素是寫入速度。數(shù)據(jù)流通常采用DRAM技術，但是，容量4GB大于的可以采用NAND+DRAM的方法，主要用于提高容量和降低功耗。
數(shù)據(jù)存儲
– 影響數(shù)據(jù)存儲性能的主要因素是存儲器容量和數(shù)據(jù)保存年限。然而，由于存儲器容量正以冪指數(shù)的速率增長，不同的系統(tǒng)組件之間的延時可能會對存儲器子系統(tǒng)的性能構成很大的影響。容量在100GB以下或對性能有很高的要求時，數(shù)據(jù)存儲通常采用NAND閃存。
圖1 – 高密存儲器技術概況
PCM升級能力
硫系 (PCM)薄膜至少在三個方面的應用證明，能夠把PCM存儲單元至少升級到5nm節(jié)點。PCM技術升級面臨的主要挑戰(zhàn)是開關元器件的升級。因為硫系薄膜材料的狀態(tài)控制方法的研究和改進，PCM耐讀寫能力和寫入速度預計在近期內會有大幅提升。隨著制程向最先進的光刻技術節(jié)點進軍，PCM的每位成本和寫入性能可望取得巨大進步，因為存儲單元在這些技術節(jié)點可以變得更小。
PCM在嵌入式系統(tǒng)
在嵌入式系統(tǒng)中，PCM通常用于存儲數(shù)據(jù)。對存儲容量要求較低的系統(tǒng)，容量通常小于大約2Gb，在設計上直接從NOR閃存執(zhí)行代碼。在嵌入式系統(tǒng)中，這種存儲器通常還用于保存系統(tǒng)文件。這類系統(tǒng)通常使用DRAM充當進程暫存器。
在這類系統(tǒng)中，PCM可用作代碼執(zhí)行存儲器，因為是一個位可擦除的存儲器，PCM能夠替代系統(tǒng)所需的某些DRAM。
在“存儲和下載存”儲器系統(tǒng)中，PCM可以降低對DRAM的容量要求，同時還可滿足對NAND的容量需求。同時，在這類系統(tǒng)中使用PCM存儲器可以簡化被保存在同一存儲器中的文件系統(tǒng)，并提高文件系統(tǒng)性能。
圖2 – SnD和XiP系統(tǒng)架構
PCM在無線通信系統(tǒng)
極短的讀取延時，快速覆蓋功能，PCM是一個理想的非易失性存儲器片內代碼執(zhí)行解決方案，適用于從低容量到高容量的各種存儲應用。PCM盡管讀取延時比DRAM長，但是存儲頁比較小，讀取延時還是屬于DRAM級別，因此可以充當一個非常出色的代碼執(zhí)行存儲器。除經常被操作的數(shù)據(jù)結構外，PCM可以用作所有數(shù)據(jù)結構的常讀存儲器。PCM的位可擦除功能省去了對塊擦除的需求，同時還進一步降低了對DRAM的需求，從而降低了存儲子系統(tǒng)的成本。
PCM有望成為一個總體成本最低的可擴展的存儲器子系統(tǒng)解決方案，同時還能滿足市場日益增長的對高端多媒體無線設備性能的需求。
圖3 – PCM可提高先進嵌入式系統(tǒng)的性能，這已在高端無線通信系統(tǒng)中得到證實
PCM在固態(tài)存儲子系統(tǒng)
因為NAND技術固有的塊可擦除特性，在固態(tài)存儲子系統(tǒng)中實現(xiàn)Managing NAND是一大挑戰(zhàn)。當進行大量的擦寫操作或頻繁的讀取操作時，存儲器容易發(fā)生錯誤，從而導致對錯誤管理機制的需求，而滿足市場不斷提高的對錯誤管理機制需求也是一個挑戰(zhàn)。
PCM可以在固態(tài)存儲系統(tǒng)內保存處理器經常訪問的頁面，以及那些在片內操作數(shù)據(jù)時更易于管理的元素，包括NAND保存數(shù)據(jù)所需的奇偶校驗位、壞塊表、塊頁映象表等。在這種情況下，使用PCM可提升NAND的可管理性。通過最小化NAND閃存受到的應力，在存儲子系統(tǒng)中可以實現(xiàn)容量更高的多級單元NAND閃存，利用PCM的功能降低NAND的成本。這種用PCM作緩存的解決方案將會提升存儲子系統(tǒng)的性能和可靠性。
圖4 –混合固態(tài)存儲器
此外，當被擦除的頁面分散在多個塊中（接近寫滿狀態(tài)）時，PCM可以進一步提高存儲子系統(tǒng)的可靠性。管理接近寫滿狀態(tài)的塊可
擦除存儲器，需要完成多個擦除循環(huán)，才能為要寫入存儲器的新數(shù)據(jù)釋放空間，而這會提高存儲器的擦寫次數(shù)，加快存儲器的使用壽命，直到最大擦寫次數(shù)為止。
PCM的位可擦除特性能夠解決當存儲器寫滿時寫次數(shù)增加的問題，PCM的更高的讀寫次數(shù)可滿足這些系統(tǒng)在被超負荷使用時的需求。
PCM在計算機平臺
作為一種易失性存儲器，DRAM保存內容需要大量的電能（W/GB）。作為一種非易失性存儲器，當不需要PCM中的內容時，可以關閉PCM模塊的電源，從而降低待機功耗，更重要的是，切斷了容量與功耗之間的聯(lián)系。這就產生一個不受PCM存儲器子系統(tǒng)功率限制的容量極限。除非易失性外，PCM還提供了對這種應用極具吸引力的耐讀寫能力和寫入延時，與目前嘗試過的頻繁讀寫方案相比，耐讀寫能力和寫入延時是PCM的一大優(yōu)點。
結論
PCM是一個具有可持續(xù)性發(fā)展和毀滅性的存儲器技術。從相互補充的角度考慮，這兩個屬性可以加快PCM的市場滲透度。此外，PCM可用于存儲器系統(tǒng)，以及消費電子、計算機、通信三合一的應用設備。本文還探討了一些有關PCM向不同存儲系統(tǒng)滲透的問題。暫時保留現(xiàn)有存儲器技術，降低系統(tǒng)總體成本和系統(tǒng)復雜性，將會是令人信服的推薦使用PCM解決方案的動機。
在代碼和數(shù)據(jù)傳輸應用中，帶寬將推動PCM可持續(xù)發(fā)展，而低功耗則是這項技術的另一個增值特性。