日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）日前面向EV/HEV車（電動汽車/混合動力車）和工業設備的變頻驅動，開發出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發的高耐熱樹脂，世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。這種模塊是600V/100A三相變頻，搭載了羅姆的6個SiC-SBD和6個SiC溝槽MOSFET，經驗證工作溫度可高達225℃。此外，該模塊使用范圍可達1200V級。因此，與傳統的Si-IGBT模塊相比，其損耗大大降低，不僅可實現小型化，而且與以往的母模類型SiC模塊相比，還可大幅降低成本。本產品預計于3～4年后達到實際應用階段。在此基礎上，針對搭載了門極驅動器IC的IPM，羅姆還計劃使用本技術，開發搭載SiC的壓鑄模類型DIP型、可高溫條件下工作的、使用范圍達600V/50A的IPM。
　　
　　近年來，在迅速發展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術領域，要求提供更高功率化、更高效化、更高溫工作的元器件，因此，各公司在進行SiC器件開發的同時，都在開發可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實現將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊(600V/450A)和搭載了SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）的二極管模塊(600V/450A)內置于電機并成功驅動。關于模塊，由于傳統的壓鑄模類型無法耐受200℃以上的高溫，因此長期使用的是耐熱特性達250℃材料的母模類型。羅姆一直不懈地推進與母模類型相比有利于小型化、低成本化、量產化的壓鑄模類型的開發。但是，能在200℃以上溫度環境下使用的封裝樹脂多為硬質材料，存在高溫環境下容易開裂等課題，超過200℃的高耐熱壓鑄模類型的開發曾一度陷入困境。此次，羅姆通過樹脂的物理特性與模塊結構的優化設計，做到了225℃的耐熱性和小型化，在世界上最先實現了壓鑄模類型、在225℃高溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點與此次的新封裝類型相結合，與具有相同功能的傳統Si-IGBT模塊相比，體積更小，僅為1/50，電氣特性方面也實現了“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，因此，開關時間減少了一半，成功的大幅度的提高了速度。
　　
　　羅姆今后還將繼續致力于面向汽車相關市場、其他市場的SiC器件及SiC模塊的開發。
　
＜主要特點＞
　　１）225℃高溫工作
　　２）6 in 1封裝，適用600V/100A級的變頻驅動　　　　　　　
　　３）以壓鑄模類型實現了小型化
　　４）通過“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，實現了高速化、高效化
　
＜主要規格＞

＜模塊的靜態特性＞

＜模塊的開關波形＞
（測量條件：　Ids=100A、Vds=300V、負載：L=200uH、Rg=3.2Ω、Rgs=15kΩ）

＜壓鑄模類型SiC功率模塊＞

＜術語解說＞
?壓鑄模類型　
將綁定好的框架置于模具內，注入熱固性樹脂成型的封裝類型。
　
?母模類型
將成型品組裝起來的封裝類型。