隨著基于 LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體)技術的三個高性能 RF 功率晶體管的推出，飛思卡爾(Freescale)半導體擴展了它在 GSM EDGE 無線網絡方面的投入。這些器件結合了增強功能，使它們輕松集成到放大器內，同時可提供卓越的性能水平。
MRFE6S9046N (920 至 960 MHz)對于 GSM EDGE 的應用，MRFE6S9046N 的運行頻率為 920 至 960 MHz，提供17.8 W 的平均 RF 功率輸出，19 dB 的增益，效率高達 42.5%，且誤差矢量幅度的均方根(RMS)值不超過2.1%。它內置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中，該封裝是精確機械公差和成本效率的結合。此外，該封裝是表面安裝的，這使它能夠支持自動化的制造流程。而且，增強型的內部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應印刷電路板的變化。內部輸出匹配不僅在基本頻率上實現了用戶友好的終端阻抗，而且還包括賴以實現更高效率的第二和第三個諧波終端，以符合 F 級放大器的理論。
MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統中的 AB 級與 C 級的操作而設計。在 GSM EDGE 業務中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運行時提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根(RMS)值為2.0%的誤差矢量幅度(EVM)。
在 GSM EDGE 業務中，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運行時提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根(EVM)值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內部匹配的，以簡化電路設計，符合 RoHS規范，并且還包含內部 ESD 保護電路。
定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現已成批生產，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現在也處于樣品性能試驗階段，預計2009年7月全面投入生產。