7月14日消息，據(jù)國外媒體報道，韓國芯片巨頭海力士半導體周三稱，它已經(jīng)同意與日本東芝公司聯(lián)合開發(fā)和生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片。
海力士在聲明中稱，根據(jù)這個合作協(xié)議，海力士和東芝將聯(lián)合開磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)。與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片相比，MRAM內(nèi)存將提高速度和效率。一旦開發(fā)工作完成，這兩家公司將組建一個合資企業(yè)大批量生產(chǎn)MRAM內(nèi)存。
海力士是僅次于三星電子的全球第二大DRAM內(nèi)存芯片廠商。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商。
這個合作將把東芝高級的MRAM技術和海力士有競爭力的成本和內(nèi)存技術結合在一起。東芝還是全球第三大半導體廠商，僅次于英特爾和三星。
MRAM芯片預計在早期階段將用于移動市場并且用于PC和服務器。
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