近日IDF2011大會圓滿閉幕，但是就在會后時(shí)隔1個(gè)工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功。對于整個(gè)閃存" title="閃存">閃存乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后，整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的驚濤風(fēng)波之后，現(xiàn)在恢復(fù)的如何？下面就且聽小編我一一道來。

　　2011 年 4 月 14 日，加利福尼亞州圣克拉拉市和愛達(dá)荷州博伊西市英特爾公司和美光科技公司今天針對NAND" title="NAND">NAND閃存的制造環(huán)節(jié)推出了一項(xiàng)更為精密的全新20納米（nm）制程技術(shù)。該技術(shù)將用于生產(chǎn)8GB容量的多層單元（MLC）NAND閃存設(shè)備，這種設(shè)備可為在智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)硬盤（SSD）等計(jì)算解決方案中保存音樂、視頻、書籍和其它數(shù)據(jù)提供兼具大容量和小尺寸特點(diǎn)的存儲產(chǎn)品選擇。

　　

　　數(shù)據(jù)存儲量的增長與平板電腦和智能手機(jī)功能的增強(qiáng)，對NAND閃存技術(shù)帶來了新的需求，對縮小其體積和提高其容量的需求尤為強(qiáng)烈。英特爾公司與美光公司推出的全新20納米制程8GB NAND設(shè)備尺寸僅為118平方毫米，與兩家公司基于現(xiàn)有的25納米NAND制程的8GB NAND設(shè)備相比，可節(jié)約30%-40%的主板空間（取決于封裝類型）。這種閃存布局上的節(jié)省可讓平板電腦和智能手機(jī)生產(chǎn)商將額外的空間用于最終產(chǎn)品的改進(jìn)，例如增加電池容量、擴(kuò)大屏幕尺寸或增加芯片數(shù)量來支持新的功能，從而實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)級效率。

　　全新的20納米制程8GB設(shè)備由英特爾與美光的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies（IMFT）公司生產(chǎn)，它是NAND制程和技術(shù)設(shè)計(jì)上的一次重大突破，進(jìn)一步鞏固了兩家公司在光刻技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。由于該技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產(chǎn)品容量，因此將NAND光刻技術(shù)升級為這一全新技術(shù)是提高晶圓工廠產(chǎn)量的一種最為經(jīng)濟(jì)高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術(shù)還保持了與前一代25納米NAND制程技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅芎湍陀眯浴?br />
　　美光科技公司NAND解決方案事業(yè)部副總裁Glen Hawk表示：“與客戶緊密協(xié)作是美光的核心價(jià)值之一，通過這些努力，我們不斷發(fā)現(xiàn)具有競爭力的NAND閃存最終產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)遇。20納米NAND制程技術(shù)是我們創(chuàng)新和成長的延續(xù)，它讓美光可以為客戶提供更具性價(jià)比的增值固態(tài)存儲解決方案。”

　　英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Tom Rampone表示：“英特爾的目標(biāo)是支持用戶能夠快速、經(jīng)濟(jì)地訪問全球范圍內(nèi)的信息。處于行業(yè)領(lǐng)先地位的NAND制程技術(shù)讓英特爾有能力為客戶提供一代又一代具備最高品質(zhì)、且最為經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。隨著在業(yè)界持續(xù)引領(lǐng)制程技術(shù)的發(fā)展，以及快速完成我們整個(gè)晶圓工廠網(wǎng)絡(luò)在光刻技術(shù)上向更先進(jìn)、更精密的技術(shù)的升級，英特爾與美光的合資企業(yè)已堪稱制造業(yè)的一個(gè)典范。”

　　20納米制程8GB設(shè)備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。英特爾和美光還希望屆時(shí)推出一款16GB設(shè)備的樣品，它可在一個(gè)比美國郵票還小的單個(gè)固態(tài)存儲解決方案中提供高達(dá)128GB的存儲容量。

　　20nm制程推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革

　　Intel與鎂光公司宣布正式推出其20nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，再一次站在了NAND閃存制造技術(shù)的最前沿。這款產(chǎn)品將由兩家公司的合資公司IMFT進(jìn)行生產(chǎn)。新的20nm制程將用于生產(chǎn)8GB容量的MLC NAND閃存設(shè)備。

　　此前，東芝與SanDisk組成的聯(lián)盟占據(jù)著NAND閃存制造技術(shù)的領(lǐng)先地位。兩家公司同樣成立了一家合資企業(yè)，目前這家企業(yè)已經(jīng)推出了24nm制程的NAND產(chǎn)品，正在增加這款產(chǎn)品的產(chǎn)能。而Hynix半導(dǎo)體與三星電子兩家韓國企業(yè)則也已經(jīng)先后推出了2xnm級別制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。

　　

　　IMFT推出的這款20nm制程8GB NAND閃存芯片的芯片面積僅為118平方毫米，寬度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND產(chǎn)品縮小了30-40%（實(shí)際縮小的尺寸依賴于芯片所采用的封裝形式）。另外，新20nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品在性能與耐久性方面則與前代25nm產(chǎn)品基本持平。

　　據(jù)透露，這款20nm 8GB容量NAND閃存芯片目前還在試樣階段，預(yù)計(jì)今年下半年可投入量產(chǎn)，屆時(shí)IMFT還將推出同樣采用20nm制程技術(shù)的16GB容量的閃存芯片樣品，并最終將這種芯片的容量提升到128GB。

　　追溯25nm制程：IMFT之Intel和美光的野望

　　IM Flash Technologies是一家非常隱匿而強(qiáng)悍的公司，它是由Intel和美國合資興辦的半導(dǎo)體制造公司，主要生產(chǎn)NAND型閃存芯片產(chǎn)品。整個(gè)NAND產(chǎn)業(yè)有個(gè)非常有趣的現(xiàn)象，大約每18個(gè)月，閃存芯片的存儲密度就會翻番。從2006年開始，他們使用的是50nm制程，而隨著時(shí)間的推移，2008年，他們開始使用40nm制程。Intel與美光的合作，催動了整個(gè)NAND閃存產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，使得制程工藝不斷精細(xì)，閃存芯片的容量不斷上升，而其價(jià)格也越來越便宜。尤其是在SSD市場中，我們更加迫切的希望閃存芯片的價(jià)格能夠有大幅回落。至少在過去幾年的USB閃盤驅(qū)動器市場中，IM Flash功不可沒。

　　時(shí)間追溯到2010年的2月1日，又是一個(gè)具有標(biāo)志性的歷史節(jié)點(diǎn)。IM Flash正式宣布推出了新一代基于25nm制程的NAND閃存技術(shù)。Intel和美光宣稱他們擁有目前世界上最為精細(xì)的閃存芯片制造技術(shù)，這也是整個(gè)IM Flash公司集體的智慧。

　　

　　“使用最為卓越的技術(shù)，引領(lǐng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)飛躍，這將是Intel和美光共同的成就。我們希望能夠進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)能力。通過高密度的存儲媒體解決方案，我們和客戶都將迎來最大利益。”Brian Shirley美光科技存儲集團(tuán)副總裁。

　　“通過我們在IMFT的持續(xù)投資，我們能夠提供世界領(lǐng)先的技術(shù)和生產(chǎn)能力。這使得我們的NAND閃存產(chǎn)品有著最佳的成本效益和高可靠性。”Tom Rampone Intel NAND解決方案集團(tuán)副總裁。

　　聚散離合：Intel與美光不多不說的事兒

　　英特爾和美光在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向。由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計(jì)雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)。

　　英特爾在2005年底宣布攜手美光共同進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域，雙方各出資50%成立IM Flash公司，作為兩家公司生產(chǎn)NAND Flash芯片的工廠，但產(chǎn)品規(guī)劃和銷售仍是各自獨(dú)立。同年正好趕搭上蘋果將MP3播放器iPod儲存接口由微型硬盤轉(zhuǎn)成NAND Flash芯片的風(fēng)潮，雙方合資公司一成立，英特爾和美光都各自獲得蘋果訂單一紙。

　　

　　目前IM Flash公司的生產(chǎn)基地以維吉尼亞州Manassas廠和猶他州Lehi廠為主，前者單月產(chǎn)能約3萬片，后者單月產(chǎn)能約7萬片，合計(jì)IM Flash單月產(chǎn)能約10萬片。

　　在新加坡廠IMFS方面，雖然現(xiàn)在仍掛上“IM”招牌，但實(shí)際上僅有美光進(jìn)行裝機(jī)和投資，美光是在2010年底宣布啟動此座廠房，但英特爾并未加入，美光計(jì)劃在2011年底前完成單月產(chǎn)能5萬~10萬片規(guī)模。

　　市場對于英特爾持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的意愿抱持懷疑，因?yàn)檫@幾年NAND Flash應(yīng)用的蜜月期已過，MP3播放器市場趨于飽和，雖然有平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)帶動的SSD固態(tài)硬盤和內(nèi)嵌式內(nèi)存eMMC接班，但此趨勢也是在2011年才浮上臺面。

　　在此之前，NAND Flash產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷多次的跌價(jià)風(fēng)暴，以英特爾貴為科技巨擘之尊，闖入毛利率起伏不定的內(nèi)存領(lǐng)域，的確讓外界相當(dāng)好奇未來動向。

　　不過，英特爾在SSD領(lǐng)域的布局上其實(shí)也相當(dāng)積極，市場認(rèn)為英特爾若要打開SSD領(lǐng)域的市占率，持續(xù)投資NAND Flash產(chǎn)能是不能少的，否則終究無法和其他競爭對手一戰(zhàn)高下，且日本311強(qiáng)震之后，下半年NAND Flash供需恐越來越吃緊，也不排除英特爾回心轉(zhuǎn)意增加投資新加坡廠的意愿。

　　英特爾和美光投入NAND Flash領(lǐng)域之后，連續(xù)在34奈米和25奈米制程都是搶頭香獲得技術(shù)領(lǐng)先，形成三星電子、海力士、東芝等競爭對手很大壓力，尤其是美光在IM Flash產(chǎn)能增加，已擠下海力士成為全球第三強(qiáng)，對全球NAND Flash市場形成洗牌戰(zhàn)，未來英特爾是否會持續(xù)攜手投資新加坡廠，將影響全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的版圖。

　　Intel與美光還在密謀10nm制程大計(jì)劃

　　根據(jù)IMFT透露，目前的20nm制程根本不算什么，他們對未來已經(jīng)做好了準(zhǔn)備，他們已經(jīng)著手研發(fā)10nm制造工藝技術(shù)，這個(gè)距離大約只有20個(gè)原子的寬度。同時(shí)它們也在考慮電荷陷阱型存儲(CTM)技術(shù)和一直以來被炒作的很熱的3D垂直堆疊技術(shù)。屆時(shí)我們有望迎來真正屬于SSD的春天。

　　

難以想象的10個(gè)nm


電荷陷阱型存儲

3D垂直堆疊技術(shù)

　　臺韓復(fù)工宣言：提高產(chǎn)能減少損失

　　全球兩大硅晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO近日紛紛對外提出“復(fù)工宣言”，前者表示白河廠近期復(fù)工，后者則宣布米澤廠產(chǎn)線已部分復(fù)工，但半導(dǎo)體廠商仍擔(dān)憂，日本5級以上余震不斷，且電力無法充足供應(yīng)，對于硅晶圓的長晶程序都是大忌；值得注意的是，日本強(qiáng)震之后臺、韓硅晶圓廠商都紛紛興起民族意識，優(yōu)先供應(yīng)國內(nèi)客戶，降低外銷比重，全力捍衛(wèi)自家半導(dǎo)體廠商的貨源！

　　日本311強(qiáng)震至今已達(dá)1個(gè)月，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最憂心的硅晶圓供貨問題，在信越和SUMCO遲遲無法對外說明之下，加深業(yè)界5月斷料的恐懼，但近兩日這兩家硅晶圓大廠紛紛對外說明復(fù)工進(jìn)度后，半導(dǎo)體廠商的憂慮其實(shí)并沒有消退。

　　信越位于地震災(zāi)區(qū)的白河廠占全球硅晶圓產(chǎn)能20%，在311強(qiáng)震后一直處于停工狀態(tài)，日前信越終于打破沉默，表示將于近期復(fù)工，但并未說明確切時(shí)間表，外界雖推測1~2周內(nèi)復(fù)工，但即使生產(chǎn)線重啟，也不會是100%運(yùn)作；而SUMCO也在12日表示，米澤廠已開始部分復(fù)工，此廠房占整體產(chǎn)能30%以上。

　　

　　但半導(dǎo)體廠商卻不這么樂觀，因?yàn)榻谌毡?級以上的余震不斷，只要超過5級以上的地震，工廠的機(jī)器設(shè)備就必須重新啟動一次，而硅晶圓長晶過程中，持續(xù)的電力是最基本的條件，無法預(yù)測的余震對長晶是一大禁忌。

　　再者，廠商也表示，日本現(xiàn)在的輪流限電策略方面，由于考慮半導(dǎo)體廠商對于電力持續(xù)性的要求相當(dāng)高，對部分廠商都采取給予持續(xù)電力，例如提供50%電力但是持續(xù)狀態(tài)，這也代表無法100%供電，即使硅晶圓廠房復(fù)工，也無法回到地震前的產(chǎn)能水平。

　　值得注意的是，目前臺、日、韓3方的半導(dǎo)體廠商使出渾身解數(shù)來搶料，且傳出臺、韓硅晶圓廠興起民族意識，境內(nèi)生產(chǎn)的硅晶圓均以國內(nèi)供應(yīng)為主，幾乎不再外銷，如南韓LG等硅晶圓以三星電子和海力士為優(yōu)先供應(yīng)，而臺灣的硅晶圓廠如臺勝科，臺系客戶涵蓋臺積電、聯(lián)電、南亞科、華亞科、華邦、旺宏、世界先進(jìn)等，一律以臺廠為優(yōu)先供貨對象。

　　

　　對信越依賴最深的爾必達(dá)方面，廠商透露，由于之前爾必達(dá)財(cái)務(wù)吃緊時(shí)，信越因?yàn)榻桢X給爾必達(dá)，因此雙方有簽訂合約，爾必達(dá)和瑞晶的硅晶圓貨源有一定比重都必須采用信越的產(chǎn)品，此合約在此時(shí)看來，利弊兼具，優(yōu)勢是可優(yōu)先獲得信越庫存。

　　但另一方面，爾必達(dá)面臨的難題是采用特殊規(guī)格的磊晶圓(EPI Wafer)，與其他DRAM廠采用的一般硅晶圓不同，也和晶圓代工廠商的磊晶圓規(guī)格不同，雖然其他硅晶圓廠也可供應(yīng)，但因?yàn)闋柋剡_(dá)的信越色彩濃厚，不利后續(xù)向其他硅晶圓廠調(diào)貨。

　　災(zāi)后月：全球硅晶圓供應(yīng)仍然非常吃緊

　　日本地震引發(fā)了對各種電子器件原材料供應(yīng)短缺的擔(dān)憂。雖然仍面臨很大風(fēng)險(xiǎn),但隨著復(fù)產(chǎn)在即,總體來說我們認(rèn)為行業(yè)最差情景假設(shè)應(yīng)不會出現(xiàn)。不過,硅片(尤其是300毫米硅片)的復(fù)產(chǎn)還沒有明確的時(shí)間表。信越半導(dǎo)體(信越化學(xué)的全資子公司)白河廠、SUMCO米澤廠以及MEMC宇都宮廠均已停產(chǎn)。我們認(rèn)為這三個(gè)工廠的產(chǎn)能大約相當(dāng)于全球產(chǎn)能的25%。

　　白河廠和宇都宮廠若5月恢復(fù)發(fā)貨則影響不大。米澤廠所受影響似乎相對較小,我們預(yù)計(jì)該廠最遲應(yīng)能于5月恢復(fù)發(fā)貨。如果SUMCO能很快啟用其閑置的伊萬里廠產(chǎn)能,且白河廠和宇都宮廠亦于5月恢復(fù)發(fā)貨并至8月可全面恢復(fù)生產(chǎn),那么我們認(rèn)為廠商和客戶的總體庫存應(yīng)可保持在一個(gè)月之上,并有望于2012年初恢復(fù)正常。若兩廠產(chǎn)能恢復(fù)均滯后則會出現(xiàn)供應(yīng)緊張。

　　

　　如果白河廠和宇都宮廠均于7月恢復(fù)發(fā)貨且在之后的3個(gè)月才能全面復(fù)產(chǎn),那么我們認(rèn)為廠商和客戶的總體庫存將降至一個(gè)月以內(nèi),供應(yīng)吃緊將持續(xù)至年末。如果發(fā)貨推遲至9月,那么廠商和客戶的庫存將降至半個(gè)月左右,這意味著有些客戶將無法獲得其所需的硅片量。主要假設(shè):5月恢復(fù)發(fā)貨;限電和余震仍令人擔(dān)憂。

　　多數(shù)因地震停產(chǎn)的電子器件原材料工廠可能于5月份恢復(fù)生產(chǎn),因此硅片生產(chǎn)也可能在5月恢復(fù)。不過,由于地震震級較高,我們認(rèn)為限電措施和余震仍可能干擾生產(chǎn)。

　　目前的狀況對信越化學(xué)不利,但由于硅片對其盈利的貢獻(xiàn)率僅為25%左右,我們認(rèn)為該影響有限。SUMCO應(yīng)可獲益于米澤廠較早復(fù)產(chǎn)以及順利啟用伊萬里廠閑置產(chǎn)能。但是,我們認(rèn)為SUMCO目前股價(jià)被高估了。