摘要：基于SRAM的FPGA對于空間粒子輻射非常敏感，很容易產(chǎn)生軟故障，所以對基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類故障的出現(xiàn)是非常重要的。三模冗余(TMR)方法以其實(shí)現(xiàn)的簡單性和效果的可靠性而被廣泛用于對單粒子翻轉(zhuǎn)(SEL7)進(jìn)行容錯(cuò)處理。但傳統(tǒng)TMR方法存在系統(tǒng)硬件資源消耗較多且功耗較大等問題。總結(jié)了傳統(tǒng)TMR方法存在的問題，分析了一些近年來出現(xiàn)的改進(jìn)的TMR方法的優(yōu)劣，針對其存在問題指出了改進(jìn)策略，并展望了TMR技術(shù)的發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵詞：TMR；容錯(cuò)；FPGA；SEU；重構(gòu)
0 引言
基于SRAM的現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)對于帶電粒子的輻射特別敏感，尤其是近年來高密度集成芯片的出現(xiàn)，電路容量增大、操作電壓降低使得它們在輻射環(huán)境下的可靠性降低。其中軟故障是主要的故障，它是由粒子和PN結(jié)相互作用引起的一種暫態(tài)故障，軟故障對在基于SRAM的FPGA上實(shí)現(xiàn)的電路具有特別嚴(yán)重的影響。由于三模冗余(Triple Modular Redundancy，TMR)技術(shù)簡單性以及高可靠性，它是一個(gè)被廣泛使用的針對于FPGA上的單粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upset，SEU)的容錯(cuò)技術(shù)。文獻(xiàn)中表明TMR大幅度提高了FP-GA在SEU影響下的可靠性。盡管TMR能有效提高設(shè)計(jì)的可靠性，但是由于要實(shí)現(xiàn)額外的模塊與布線，它對硬件資源以及功耗消耗較大，而且工作速度也受到影響。這都限制了傳統(tǒng)TMR的使用。隨著電子技術(shù)特別是部分可重構(gòu)技術(shù)發(fā)展，出現(xiàn)了多種改進(jìn)的TMR技術(shù)，它們都針對性地解決了傳統(tǒng)TMR方法所存在的問題，使得TMR技術(shù)得到發(fā)展。本文首先介紹了傳統(tǒng)TMR的原理，接著總結(jié)了其所存在的問題，然后對改進(jìn)的TMR技術(shù)的優(yōu)劣進(jìn)行了全面的分析，最后對TMR技術(shù)發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
1 常規(guī)TMR方法及存在的問題
TMR的基本概念是用三個(gè)相同的模塊分別實(shí)現(xiàn)相同的功能，最后在輸出口通過一個(gè)多數(shù)表決器對數(shù)據(jù)進(jìn)行選擇以實(shí)現(xiàn)容錯(cuò)的目的。TMR的使用是建立在某一個(gè)時(shí)刻錯(cuò)誤只出現(xiàn)在一個(gè)模塊里的基礎(chǔ)上，而實(shí)際上，因?yàn)樵诓煌哪K里同時(shí)出錯(cuò)的概率是比較低的，而且實(shí)現(xiàn)過程直接、簡單，所以TMR是現(xiàn)在比較有效且被大量使用的一種容錯(cuò)的方法。TMR主要被廣泛用于防止由輻射引起的SEU對系統(tǒng)的影響，由于它的使用使FPGA在SEU影響下的可靠性得到很大提高。常規(guī)TMR方法的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。
盡管TMR可以有效提高設(shè)計(jì)的可靠性，但是它也存在很多不足之處。主要有以下幾點(diǎn)：
(1)它不能對出錯(cuò)的模塊進(jìn)行修復(fù)。當(dāng)一個(gè)模塊出錯(cuò)后，我們只是將錯(cuò)誤通過多數(shù)表決器屏蔽，但是錯(cuò)誤模塊仍然存在。而且一般的TMR也不能對錯(cuò)誤進(jìn)行檢測和定位，以便系統(tǒng)進(jìn)行修復(fù)。如果出現(xiàn)的錯(cuò)誤得不到及時(shí)修復(fù)，那么當(dāng)再次出現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)TMR將失效。
(2)很多研究只是考慮到單個(gè)錯(cuò)誤的影響，而忽略了多個(gè)SEU同時(shí)出現(xiàn)的可能，盡管出現(xiàn)這種情況的概率較低，但卻是存在的。實(shí)驗(yàn)也表明TMR對減弱單個(gè)SEU產(chǎn)生的影響是非常有效的，但SEU在配置存儲器中積累會使效果降低。
(3)普通TMR資源開銷大，資源利用率低。普通TMR是對整個(gè)設(shè)計(jì)或者較大的模塊進(jìn)行三模冗余，粒度比較大，它的資源開銷相比原始電路增大200％。如果受到FPGA硬件資源和功耗等設(shè)計(jì)約束的限制不能對整個(gè)電路或者模塊實(shí)現(xiàn)TMR，那么會造成資源浪費(fèi)。
(4)由于電路的倍增使得功耗增大，而且由于表決器的存在以及其他一些額外的布線使得速度降低。
(5)表決器本身也可能出錯(cuò)，而一般的TMR的表決器沒有自檢錯(cuò)能力，也不具備抗輻射能力。
(6)當(dāng)采用三模冗余的電路驅(qū)動沒有采用冗余的電路時(shí)，需要一個(gè)表決器將三個(gè)信號合為一個(gè)信號。當(dāng)沒有采用冗余的電路驅(qū)動采用三模冗余的電路時(shí)需要通過額外的布線將一路信號擴(kuò)展稱為三路信號。因?yàn)檫壿嬰娐泛筒季€資源都對SEU敏感，所以這樣的結(jié)果會降低系統(tǒng)可靠性。
2 改進(jìn)的TMR方法
2．1 TMR與Scrubbing結(jié)合
由于TMR本身不具備錯(cuò)誤模塊修復(fù)能力，若僅一個(gè)模塊出現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)，系統(tǒng)功能不受影響，但如果在另一個(gè)模塊出現(xiàn)錯(cuò)誤前不能對已出現(xiàn)的錯(cuò)誤模塊進(jìn)行修復(fù)，那么冗余方法會失效。所以當(dāng)出現(xiàn)一個(gè)錯(cuò)誤的時(shí)候，必須及時(shí)地對出錯(cuò)的模塊進(jìn)行修復(fù)。
隨著動態(tài)可重構(gòu)技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了Scrubbing這種對FPGA進(jìn)行配置的方法。由于對于空間電子系統(tǒng)來說影響最嚴(yán)重的是SEU等軟故障，而軟故障可以通過重構(gòu)來解決，所以周期性地對配置存儲器進(jìn)行刷新可以實(shí)現(xiàn)對這類錯(cuò)誤的修復(fù)。
Scrubbing和TMR配合使用對防止SEU的產(chǎn)生可以起到很好的效果。但很多研究同樣只考慮到單個(gè)錯(cuò)誤的影響，而忽略了多個(gè)SEU同時(shí)出現(xiàn)的可能性。理論上一個(gè)快速的刷新率可以保證某一時(shí)間內(nèi)只有一個(gè)錯(cuò)誤的存在。然而實(shí)際中錯(cuò)誤的出現(xiàn)是隨機(jī)的，這意味著任何刷新率都不能保證在一個(gè)刷新周期內(nèi)最多只出現(xiàn)一個(gè)錯(cuò)誤。在實(shí)際中使用這種方法時(shí)，必須通過復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)過程對SEU出現(xiàn)的概率進(jìn)行估計(jì)。選取Scru-bbing的刷新率的經(jīng)驗(yàn)原則是使刷新率比估算的出錯(cuò)率高一個(gè)數(shù)量級。而現(xiàn)在隨著FPGA的規(guī)模越來越大，用來裝載整個(gè)配置位流的時(shí)間會達(dá)到幾百毫秒，刷新率更得不到保障，且系統(tǒng)功耗增大。
隨著部分TMR的實(shí)現(xiàn)，可以設(shè)計(jì)出具有檢錯(cuò)和定位功能的表決器，當(dāng)某個(gè)模塊出錯(cuò)時(shí)，表決器的信號直接觸發(fā)重構(gòu)功能，動態(tài)地只對出錯(cuò)部分的電路進(jìn)行重構(gòu)。這樣可以解決Scrubbing時(shí)間和功耗的問題，并為防止錯(cuò)誤積累提供了解決途徑。
為了防止表決器出錯(cuò)，表決器可以采用對輻射不敏感的器件來實(shí)現(xiàn)而替代基于SRAM的材料，這樣提高了表決器的穩(wěn)健性。文獻(xiàn)也提出了一種改進(jìn)的表決器。它不再使用多數(shù)表決器對三個(gè)冗余模塊的輸出進(jìn)行表決，而是將三個(gè)冗余模塊相應(yīng)的輸出通過三態(tài)緩沖器和少數(shù)表決器后分別由FPGA的三個(gè)輸出管腳輸出，最后在印刷電路板(PCB)上“線或”為一個(gè)信號。少數(shù)表決器電路負(fù)責(zé)判斷本冗余模塊的信號是否是少數(shù)
值，如果是少數(shù)值，則相對應(yīng)的緩沖器輸出高阻，如果不是，則使相應(yīng)的信號正常輸出。
Readback是在Scrubbing的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。它是指將配置數(shù)據(jù)回讀與最初的配置數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤后進(jìn)行重構(gòu)。文獻(xiàn)中使用了這樣的方法，另外它還采用了糾錯(cuò)碼來保護(hù)配置數(shù)據(jù)。每一個(gè)配置幀的數(shù)據(jù)被12位的see-dec漢明碼保護(hù)，而且FPGA中每個(gè)基本單元的識別碼都不一樣，通過ICAP(InternalConfiguration Access Port)回讀配置文件后，糾錯(cuò)碼可以給出錯(cuò)位的位置。
Scrubbing可以在不中斷電路工作的情況下修復(fù)SEU在LUT、布線矩陣和CLB中所造成的功能錯(cuò)誤。但是它不能改變LUT中觸發(fā)器中的內(nèi)容，所以它也就不能重置寄存器的狀態(tài)。當(dāng)存儲單元的值發(fā)生了翻轉(zhuǎn)，此時(shí)只能通過系統(tǒng)復(fù)位來得到修復(fù)。然而系統(tǒng)復(fù)位將使系統(tǒng)功能中斷，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的性能。
2．2 小粒度TMR技術(shù)
隨著部分動態(tài)重構(gòu)技術(shù)的出現(xiàn)，產(chǎn)生了小粒度的TMR方法。可以以較小的粒度為步長，采用合理的布局與布線實(shí)現(xiàn)TMR以達(dá)到要求的資源開銷并得到最大的可靠性。文獻(xiàn)中對在出現(xiàn)多個(gè)錯(cuò)誤的情況下不同粒度TMR的容錯(cuò)性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析，結(jié)果表明小粒度TMR比以整個(gè)系統(tǒng)為粒度進(jìn)行TMR的效果好。
在全局TMR不可行的情況下(例如資源有限)，小粒度TMR是一個(gè)較好的選擇，可以在使用較少資源的情況下提高系統(tǒng)的可靠性。由于不是對所有的模塊都采用冗余措施，所以在實(shí)現(xiàn)的時(shí)候必須著重于對那些可以相對更高地提高系統(tǒng)可靠性的模塊應(yīng)用TMR技術(shù)。此時(shí)表決器的數(shù)量和位置也是一個(gè)需要考慮的問題。由于采用三模冗余的模塊前后需要額外的布線，而邏輯電路和布線資源都對SEU敏感，所以這樣的結(jié)果會降低系統(tǒng)可靠性。如圖2所示，圖中陰影部分是對SEU敏感的，由圖可以看出(c)中敏感的部分比(b)中多，這是由于表決器和額外的布線造成的。所以需要限制三模冗余電路和未采用三模冗余的電路的轉(zhuǎn)變，這樣可以通過集中使用三模冗余技術(shù)而提高系統(tǒng)可靠性。
為了選擇需要進(jìn)行三模冗余的模塊并進(jìn)行合理的布局布線，將系統(tǒng)出現(xiàn)的錯(cuò)誤分為持續(xù)性錯(cuò)誤和非持續(xù)性錯(cuò)誤。持續(xù)性的錯(cuò)誤是指由SEU產(chǎn)生的改變了電路內(nèi)部狀態(tài)的錯(cuò)誤；非持續(xù)性錯(cuò)誤是指可以通過FPGA重構(gòu)而消除的錯(cuò)誤，而持續(xù)性錯(cuò)誤在重構(gòu)后依然存在。
結(jié)合以上的分析，實(shí)施部分TMR的優(yōu)先級別如下：
第一級是會產(chǎn)生持續(xù)性錯(cuò)誤的部分。
第二級是會導(dǎo)致能產(chǎn)生連續(xù)性錯(cuò)誤電路部分出錯(cuò)的電路，以降低TMR和非TMR之間的轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)則。
第三級是會產(chǎn)生持續(xù)性錯(cuò)誤電路的前向部分，同樣以降低TMR和非TMR之間的轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)則。
第四級是與會產(chǎn)生持續(xù)性錯(cuò)誤電路部分獨(dú)立的部分。
可以通過靜態(tài)的分析來對電路進(jìn)行劃分。這里存在的問題是在標(biāo)準(zhǔn)的全局TMR中，所有的輸入、輸出以及時(shí)鐘都進(jìn)行了三模冗余，而使用部分TMR時(shí)，對I／O以及時(shí)鐘的冗余有可能不能被實(shí)現(xiàn)。和沒有采用TMR的邏輯電路一樣，沒有進(jìn)行TMR的時(shí)鐘和I／O同樣可以產(chǎn)生不能被檢測的錯(cuò)誤。
由實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看，由于此方法主要著重于能產(chǎn)生持續(xù)性錯(cuò)誤的電路部分，所以當(dāng)所使用的冗余資源增多時(shí)，持續(xù)性的錯(cuò)誤出現(xiàn)的幾率很快的降低，最終幾乎全部被克服掉。所以采用部分TMR可以在資源和可靠性間達(dá)到平衡，在最小限度影響可靠性的條件下，最大限度地提高資源利用率。
另外，一個(gè)翻轉(zhuǎn)有可能改變配置存儲器中控制布線的配置位，而使得兩個(gè)不同冗余模塊間的連線短路，這樣一個(gè)翻轉(zhuǎn)影響了TMR中不止一個(gè)模塊，導(dǎo)致輸出錯(cuò)誤。而配置資源中的90％都用來控制布線，所以這個(gè)問題是需要考慮的。產(chǎn)生這種錯(cuò)誤的可能性還依賴于TMR的布局，而TMR的布局直接依賴于多數(shù)表決器的數(shù)量。當(dāng)表決器增多時(shí)，模塊之間需要額外的連接，所以各模塊必須靠得很近，這樣使得一次翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致模塊之間短路的可能性增加。為了降低會影響TMR穩(wěn)健性的產(chǎn)生改變布線的錯(cuò)誤的可能性，必須最大可能地減少各個(gè)模塊之間的連接。如果多數(shù)表決器的數(shù)量可以被降下來，那么模塊之間的連接可以減少。
解決這個(gè)問題的方法是采用較大粒度的TMR以降低它們之間的連接，且表決器只應(yīng)用在電路輸出部分。但同時(shí)又出現(xiàn)了一個(gè)新的問題，例如為對存儲單元的狀態(tài)進(jìn)行修復(fù)，Xilinx提出了將表決器應(yīng)用在有寄存器的地方并加入反饋以糾正翻轉(zhuǎn)對寄存器中值的影響的XTMR方法，如果內(nèi)部的表決器被去掉，那么出錯(cuò)部分存儲單元的錯(cuò)誤將得不到糾正，所以重構(gòu)后它與其他模塊工作的狀態(tài)不同步。
文獻(xiàn)中解決這個(gè)問題的方法是通過從外部存儲器中讀取存儲的工作狀態(tài)。但是這個(gè)方法需要三個(gè)模塊離線后才能進(jìn)行狀態(tài)的存儲和重置進(jìn)而達(dá)到同步。顯然可行性不高，尤其是對實(shí)時(shí)性要求高的電路。
針對此問題，文獻(xiàn)提出了一種同步技術(shù)，該技術(shù)TMR系統(tǒng)中采用狀態(tài)寄存器復(fù)制機(jī)制，并在三個(gè)冗余模塊之間引入數(shù)據(jù)通路來傳輸狀態(tài)寄存器的數(shù)據(jù)。當(dāng)某一個(gè)冗余模塊發(fā)生故障被局部重構(gòu)后，能夠通過接受主控制器的令牌，從正常模塊復(fù)制狀態(tài)寄存器的數(shù)據(jù)來完成同步而及時(shí)地恢復(fù)工作。該方法縮短了故障模塊從修復(fù)到重新加入系統(tǒng)工作的時(shí)間，從而減小發(fā)生故障積累的概率，提高冗余系統(tǒng)的可靠性。
另一種方法是預(yù)測其他模塊最快會達(dá)到的狀態(tài)，然后對重構(gòu)后的模塊進(jìn)行狀態(tài)的預(yù)置。這時(shí)只需使要重構(gòu)的模塊停止工作而不影響其他兩個(gè)模塊的工作，當(dāng)工作模塊的狀態(tài)和預(yù)置的狀態(tài)同步時(shí)，三個(gè)模塊又一起工作。此時(shí)狀態(tài)選擇是一個(gè)問題，這個(gè)狀態(tài)到達(dá)的頻率必須很高，而且會在較快時(shí)間內(nèi)到達(dá)，另外多個(gè)狀態(tài)可以提高效率但同時(shí)會使預(yù)置信號寬度增加。
如果寄存器中狀態(tài)不可預(yù)測，例如寄存器鏈和加法器，那么不能使用這個(gè)方法，所以這種方法需要改進(jìn)以提高其適應(yīng)性。在TMR各模塊布線時(shí)，盡量將它們相隔有一定的距離，這樣也可以降低一個(gè)模塊出現(xiàn)錯(cuò)誤后對其他模塊造成影響的可能性。
2．3 基于對FPGA基本單元結(jié)構(gòu)改進(jìn)的TMR技術(shù)
因?yàn)門MR資源消耗較大，一般方法中由于布線以及表決器的實(shí)現(xiàn)，當(dāng)粒度越小耗費(fèi)的資源更多。文獻(xiàn)提出了一種比較新穎的小粒度的方法，它對基于SRAM的FPGA的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了一些改變(LUT及CLB結(jié)構(gòu))，以小粒度來實(shí)現(xiàn)TMR但資源消耗卻得到降低。
文中選用Xilinx Virtex-5系列芯片。其基本結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)5輸入的LUT實(shí)現(xiàn)的一個(gè)6輸入的LUT。如圖3所示。如果低五位輸入數(shù)據(jù)相同那么可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)5輸入的LUT。在有些情況下，只需要5輸入的LUT，此時(shí)另一個(gè)LUT沒有被使用。如果在布局時(shí)使其總滿足這種情況，那么可以用留下的資源來實(shí)現(xiàn)TMR。
一個(gè)TMR需要兩個(gè)LUT，而兩個(gè)TMR只需要三個(gè)LUT，需要在LUT內(nèi)部實(shí)現(xiàn)表決器、報(bào)錯(cuò)電路以及其他的一些控制線，這增加了LUT內(nèi)部的布線和延遲。
這種方法的優(yōu)點(diǎn)是粒度減小，可靠性增加，資源消耗少，可通過檢錯(cuò)和定位進(jìn)行有條件的重構(gòu)，減少了功耗和配置時(shí)間。實(shí)驗(yàn)結(jié)過表明，相比于傳統(tǒng)的小粒度的TMR，這種方法額外資源消耗只為76．5％，而傳統(tǒng)的則達(dá)到242％。
2．4 基于空間搜索方法的TMR技術(shù)
由于部分以及小粒度TMR的出現(xiàn)，在FPGA和設(shè)計(jì)約束的情況下，對粒度以及電路模塊的選擇是一個(gè)關(guān)鍵的問題，而往往只知道資源、功耗及可靠性等要求，實(shí)際的布局與實(shí)現(xiàn)是一個(gè)棘手的問題。文獻(xiàn)都提出了基于空間搜索的方法。這種方法是提供資源、功耗與可靠性等參數(shù)，在各種可能的解決方法中進(jìn)行搜索而得到最優(yōu)的結(jié)果。
2．5 基于時(shí)間的TMR技術(shù)
基于時(shí)間的基本思想是通過多次計(jì)算進(jìn)行故障屏蔽，是對相同的計(jì)算重復(fù)進(jìn)行兩次或者多次并比較結(jié)果以檢測和克服錯(cuò)誤。當(dāng)對某一部分的電路得到一個(gè)結(jié)果后，暫時(shí)將其存儲起來，延遲一定時(shí)間后再進(jìn)行一次計(jì)算并輸出存儲，若比較結(jié)果不一致則出現(xiàn)了錯(cuò)誤，此時(shí)再延遲相同的時(shí)間，將其輸出作為正確的結(jié)果輸出。
這種方法對于檢測瞬時(shí)故障很有效，但其容錯(cuò)效果與延遲時(shí)間有關(guān)系。此方法實(shí)際上使用時(shí)間的延長換取了資源的節(jié)省，對于實(shí)時(shí)性較高的系統(tǒng)使用性較差。
2．6 基于軟、硬件冗余的TMR技術(shù)
對于在硬件上出現(xiàn)的不可修復(fù)的損壞，上面的方法將都會失效。此時(shí)對每個(gè)模塊中采用三個(gè)不同的版本的文件(一個(gè)使用，兩個(gè)備份)且每個(gè)模塊還有1／4的硬件冗余資源。如果出現(xiàn)了硬件故障，則首先用其他版本對其進(jìn)行重新配置，如果這樣問題還得不到解決，那么通過使用額外的冗余資源重新布局以繞過出錯(cuò)的部分。但是由于對冗余資源及存儲單元的要求，這種方法進(jìn)一步增加了資源的消耗。
3 TMR技術(shù)發(fā)展展望
基于以上的分析，用圖4所示的框圖來描述TMR技術(shù)出現(xiàn)的問題與改進(jìn)方法之間的關(guān)系。由于硬件存在故障積累的問題，所以在系統(tǒng)可靠性的要求下產(chǎn)生出了多種新的基于TMR的解決辦法，不過這些技術(shù)都只是針對某些問題而提出的，它只解決了部分問題同時(shí)也帶來了一些新的問題，所以基于TMR的容錯(cuò)技術(shù)仍然不夠成熟。
不過其中小粒度的TMR技術(shù)是一種靈活性很大的方法，它結(jié)合其他的一些方法可以在節(jié)約資源的基礎(chǔ)上達(dá)到較好的性能，基于小粒度的TMR的技術(shù)將會是TMR技術(shù)的一個(gè)主要發(fā)展方向，需要進(jìn)一步解決由于布線資源相對增多而對系統(tǒng)可靠性的影響。另外，由于小粒度TMR的實(shí)現(xiàn)需要對系統(tǒng)的各部分電路進(jìn)行選擇并進(jìn)行布局，所以TMR實(shí)現(xiàn)的自動化也是一個(gè)需要研究的方向。
4 結(jié)語
隨著半導(dǎo)體工業(yè)突飛猛進(jìn)的發(fā)展，芯片的集成度越來越高，其操作電壓不斷降低，這都導(dǎo)致集成電路在輻射條件下的可靠性下降，特別是以SEU為代表的軟故障的影響不斷加大，所以在用基于SRAM的FPGA實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的時(shí)候，必須采取容錯(cuò)措施。
以傳統(tǒng)TMR的可靠性優(yōu)勢為基礎(chǔ)，伴隨著電子技術(shù)的發(fā)展以及實(shí)際需求的推動，出現(xiàn)了很多改進(jìn)的TMR技術(shù)。總結(jié)了TMR技術(shù)存在的突出問題，研究了這些新方法，分析了其優(yōu)勢以及存在的問題并指出了相應(yīng)的解決辦法。TMR技術(shù)的發(fā)展應(yīng)該以高效的實(shí)現(xiàn)方法及可靠性為方向，以穩(wěn)健的評估策略為基礎(chǔ)，根據(jù)所要達(dá)到的參數(shù)要求，以較高的自動化的方式在不同的粒度和布局上進(jìn)行權(quán)衡而得到最終的TMR解決方案。