常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小，應(yīng)用較為廣泛，也符合LED驅(qū)動設(shè)計(jì)要求。所以開關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。
功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET的開關(guān)特性：MOSFET功率場效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來控制漏極電流的，因此它的一個顯著特點(diǎn)是驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功耗小。其第二個顯著特點(diǎn)是開關(guān)速度快，工作頻率高，功率MOSFET的工作頻率在下降時間主要由輸入回路時間常數(shù)決定。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免。MOSFET漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載，這個二極管很重要。體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
MOS管是電壓驅(qū)動器件" title="驅(qū)動器件">驅(qū)動器件，基本不需要激勵級獲取能量，但是功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，柵極驅(qū)動器的負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。
MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值，從而減小柵極回路的充放電時間常數(shù)，加快開關(guān)速度。一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC。內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET。為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是唯一的選擇方式，IC需要合適的驅(qū)動能力，MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)!
下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。
一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。
一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大，并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制?？紤]到走線分布電容的影響，這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。
以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當(dāng)瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通，此時Rg又參與反向諧振回路，因此可以抑制反向諧振的尖峰。這個二極管通常使用高頻小信號管1N4148。
MOS開關(guān)管損耗：不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOSFET會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOSFET導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOSFET導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOSFET兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOSFET管的損耗是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損耗。通常開關(guān)損耗比導(dǎo)通損耗大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。在LED恒流源設(shè)計(jì)中要注意頻率的選擇，降低損耗但也要兼顧雜聲的出現(xiàn)。
導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損耗也就很大。縮短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損耗；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損耗。
輸出的要求：因?yàn)镸OSFET一般都連接著感性電路，會產(chǎn)生比較強(qiáng)的反向沖擊電流。另外一個需要注意的問題是對瞬間短路電流的承受能力，對于高頻SMPS尤其如此。瞬間短路電流的產(chǎn)生通常是由于驅(qū)動電平脈沖的上升或下降過程太長，或者傳輸延時過大，瞬間短路電流會顯著降低電源的效率，是MOSFET發(fā)熱的原因之一。
估算結(jié)區(qū)溫度：一般來說，即使源極/漏極電壓超過絕對的最大額定值，功率 MOSFET 也很少發(fā)生擊穿。功率 MOSFET 的擊穿電壓 (BVDSS) 具備正向的溫度系數(shù)。因此，溫度越高，擊穿器件所需的電壓越高。在許多情況下，功率 MOSFET 工作時的環(huán)境溫度超過 25℃，其結(jié)區(qū)溫度會因能量耗散而升至高于環(huán)境溫度。
當(dāng)擊穿真正發(fā)生時，漏極電流會大得多，而擊穿電壓甚至比實(shí)際值還要高。在實(shí)際應(yīng)用中，真正的擊穿電壓會是額定低電流擊穿電壓值的 1.3 倍。
盡管非正常的過壓尖峰不會導(dǎo)致器件擊穿，但為了確保器件的可靠性，功率MOSFET 的結(jié)區(qū)溫度應(yīng)當(dāng)保持于規(guī)定的最大結(jié)區(qū)溫度以下。器件的穩(wěn)態(tài)結(jié)區(qū)溫度可表達(dá)為：
T_{J}=P_{D}R_{ JC}+T_{C}
其中，T_{J}：結(jié)區(qū)溫度；T_{C}：管殼溫度；P_{D}：結(jié)區(qū)能耗；R_{ JC}：穩(wěn)態(tài)下結(jié)區(qū)至管殼的熱阻。
不過在很多應(yīng)用中，功率 MOSFET 中的能量是以脈沖方式耗散，而不是直流方式。當(dāng)功率脈沖施加于器件上時，結(jié)區(qū)溫度峰值會隨峰值功率和脈沖寬度而變化。在某指定時刻的熱阻叫做瞬態(tài)熱阻，并由下式表達(dá)： Z_{ JC}(t)=r(t) R_{ JC}
這里，r(t)是與熱容量相關(guān)，隨時間變化的因子。對于很窄的脈沖，r(t)非常小；但對于很寬的脈沖，r(t)接近1，而瞬態(tài)熱阻接近穩(wěn)態(tài)熱阻。
有時輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOSFET管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOSFET管在高gate電壓下安全，很多MOSFET管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
MOSFET導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。4V或10V是常用的MOSFET的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時需要選擇合適。合適的門電壓會使得導(dǎo)通時間快，導(dǎo)通電阻小。 目前市場上也有低電壓驅(qū)動MOSFET，但耐壓都較低，可以選擇用在串接要求不是很高的場合。
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