| Innovus機(jī)器學(xué)習(xí)在高性能CPU設(shè)計(jì)中的應(yīng)用 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：624 K | |
| 標(biāo)簽： 機(jī)器學(xué)習(xí) Innovus 芯片設(shè)計(jì) | |
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| 文檔介紹：高性能芯片設(shè)計(jì)在7 nm及更高級(jí)的工藝節(jié)點(diǎn)上，設(shè)計(jì)規(guī)模更大、頻率更高、設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)和可變性更復(fù)雜，物理設(shè)計(jì)難度增大。機(jī)器學(xué)習(xí)在多領(lǐng)域均獲得成功應(yīng)用，復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)是應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)的一個(gè)很好的領(lǐng)域。Cadence將機(jī)器學(xué)習(xí)算法內(nèi)置到Innovus工具中，通過對(duì)芯片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行學(xué)習(xí)建模，建立機(jī)器學(xué)習(xí)模型，從而提升芯片性能表現(xiàn)。建立了一個(gè)應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化延時(shí)的物理流程來提升芯片設(shè)計(jì)性能。詳細(xì)討論分析了分別對(duì)單元延時(shí)、線延時(shí)、單元和線延時(shí)進(jìn)行優(yōu)化對(duì)設(shè)計(jì)的影響，進(jìn)而找到一個(gè)較好的延時(shí)優(yōu)化方案。最后利用另一款設(shè)計(jì)難度更大，性能要求更高的模塊從時(shí)序、功耗、線長等方面較為全面地分析驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案的合理性。 | |
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