伊人影视大全,怡红院亚洲红怡院天堂麻豆,伊人射

埃賽力達(dá)推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光電二極管，APD增益高達(dá)40倍

　　提供以市場(chǎng)為導(dǎo)向的創(chuàng)新化光電解決方案工業(yè)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——埃賽力達(dá)科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光電二極管。這款新品將高增益和快速恢復(fù)時(shí)間以及低噪音性能獨(dú)特地結(jié)合在一起，成為高端電信測(cè)試設(shè)備應(yīng)用、光通信和分布式光纖傳感系統(tǒng)以及對(duì)人眼安全的LiDAR/激光測(cè)距設(shè)備的理想解決方案，尤其適用于智能城市和智能工廠(chǎng)。

發(fā)表于：5/23/2023

羅德與施瓦茨為Emitech在法國(guó)的新車(chē)輛測(cè)試中心提供EMC測(cè)試系統(tǒng)

　　Emitech是一家專(zhuān)門(mén)從事汽車(chē)行業(yè)產(chǎn)品認(rèn)證應(yīng)用測(cè)試的公司，其位于法國(guó)Montigny-le-Bretonneux的新車(chē)輛測(cè)試中心已經(jīng)落成。該EMC試驗(yàn)室配備了羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“R&S”公司）全套EMC測(cè)試系統(tǒng)，包括R&S BBA150、R&S BBA130和R&S BBL200寬帶功率放大器、R&S ESW44測(cè)試接收機(jī)、R&S SMB100B射頻信號(hào)發(fā)生器和功率計(jì)等。在3月份的落成典禮上，R&S還展示了其用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）測(cè)試的創(chuàng)新解決方案。

發(fā)表于：5/19/2023

東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設(shè)備

　　中國(guó)上海，2023年5月18日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動(dòng)設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

發(fā)表于：5/18/2023

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon產(chǎn)品的智能遙控器方案

　　2023年5月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）CYW20835藍(lán)牙芯片的智能遙控器方案。

發(fā)表于：5/18/2023

意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓（iso-buck）轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：5/17/2023

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于晶相光電和偉詮電子產(chǎn)品的汽車(chē)視覺(jué)方案

　　2023年5月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于晶相光電（SOI）JX-A05傳感器和偉詮電子（Weltrend）WT8932圖像處理器的汽車(chē)視覺(jué)方案。

發(fā)表于：5/17/2023

貿(mào)澤電子開(kāi)售面向工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的Microchip Technology AVR64EA 8位AVR MCU

　　2023年5月16日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開(kāi)售Microchip Technology的AVR64EA 8位AVR® MCU。AVR64EA MCU為工程師提供基于硬件的高速低功耗集成式模擬核心獨(dú)立外設(shè) （CIP），適用于工業(yè)、消費(fèi)和汽車(chē)應(yīng)用的各種實(shí)時(shí)控制、傳感器節(jié)點(diǎn)和輔助安全監(jiān)測(cè)。

發(fā)表于：5/17/2023

兆易創(chuàng)新業(yè)界最小塑封封裝產(chǎn)品面世

　　中國(guó)北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達(dá)128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。

發(fā)表于：5/17/2023

重壓之下中國(guó)自研光刻機(jī)核心技術(shù)獲重大突破！

在重重打壓與阻撓下，中國(guó)堅(jiān)定了自立自強(qiáng)的決心，增強(qiáng)了自主研發(fā)能力，攻克了“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)，在這種趨勢(shì)下，西方的態(tài)度似乎正在發(fā)生轉(zhuǎn)變。

發(fā)表于：5/17/2023

哲庫(kù)余震：小米 vivo 榮耀們還能撐多久？

作為國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)最受關(guān)注的后起之秀，OPPO旗下的哲庫(kù)用一種最決絕的方式和所有人說(shuō)再見(jiàn)了。

發(fā)表于：5/17/2023

FEELM在英國(guó)發(fā)布全新升級(jí)一次性解決方案，思摩爾打造增長(zhǎng)新引擎

英國(guó)時(shí)間5月13日,思摩爾旗下技術(shù)品牌FEELM在英國(guó)伯明翰宣布,全新升級(jí)的FEELM Max全球首款陶瓷芯一次性霧化解決方案啟動(dòng)大規(guī)模商用。

發(fā)表于：5/16/2023

OPPO終止ZEKU芯片業(yè)務(wù)的背后

“出貨量持續(xù)下降”、“清庫(kù)存”、“裁員”、“虧損搶單”、“虧不起拒接訂單”、“砍掉新業(yè)務(wù)聚焦老業(yè)務(wù)”、“降低成本提高效率”···這些足以表明以智能手機(jī)為代表的消費(fèi)類(lèi)電子負(fù)面的語(yǔ)句，是近期筆者走訪(fǎng)產(chǎn)業(yè)鏈聽(tīng)聞最多的話(huà)語(yǔ)，“活下去”——似乎也成為產(chǎn)業(yè)鏈眾多企業(yè)共同的目標(biāo)。

發(fā)表于：5/16/2023

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類(lèi)產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

　　英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點(diǎn)，過(guò)壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實(shí)現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護(hù)。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動(dòng)方式與 Si MOSFET 類(lèi)似，無(wú)需復(fù)雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開(kāi)關(guān)頻率下能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優(yōu)勢(shì)，該產(chǎn)品在同類(lèi)產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能，并且與 SMPS 應(yīng)用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

發(fā)表于：5/16/2023

王化：小米武漢總部超35歲員工裁員90%的消息皆為謠言

5月14日，小米集團(tuán)公關(guān)部總經(jīng)理 @王化發(fā)表聲明，對(duì)于網(wǎng)傳小米武漢第二總部對(duì) 35 歲以上員工裁員 90% 的消息進(jìn)行了回應(yīng)。

發(fā)表于：5/15/2023

英飛凌推出面向汽車(chē)應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

　　【2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)車(chē)用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)、斷開(kāi)開(kāi)關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動(dòng)器。

發(fā)表于：5/15/2023