作為發(fā)射器的最后一級，功率放大器供給負載所需要的、額定的不失真功率以控制負載工作，使得信號通過天線發(fā)送出去，同時減少誤碼。它不要求最大的功率放大倍數(shù)，而是要求獲得最大的、不失真（或者失真但合乎要求）的輸出功率。由于移動通信的普及，提高手機的功率效率、降低電源消耗、減小體積重量、延長通話時間成為開發(fā)移動電話急需解決的技術(shù)問題。在系統(tǒng)的功耗中發(fā)射機占了絕大部分，其末級的功率放大器又是最關(guān)鍵的部件，存在著較大的功率損耗。對于不同類型的發(fā)射機，末級功率放大器占整個系統(tǒng)功耗的60%～ 90%，制約了系統(tǒng)性能。因此，需要設(shè)計一種高效率功放，這對于常規(guī)的電子設(shè)備，例如中繼通信站等，提高效率，降低電源損耗、降低維護成本也有重要的意義。
本文研究了一個用0.6μm CMOS工藝實現(xiàn)的功率放大器， E型功率放大器具有很高的效率，它工作在開關(guān)狀態(tài)，電路結(jié)構(gòu)簡單，理想功率效率為 100%，適應(yīng)于恒包絡(luò)信號的放大，例如FM和GMSK等通信系統(tǒng)。
工作原理
下面用圖1所示的原理圖進行說明E型功率放大器的工作機理。
當(dāng)輸入電壓Vin大于開啟電壓時，晶體管工作在可變電阻區(qū)，漏源之間有很小的電阻，假設(shè)為r on，這相當(dāng)于開關(guān)閉合；如果輸入電壓V in小于開啟電壓時，MOS管處于截至狀態(tài)，沒有電流流過漏級，這相當(dāng)開關(guān)斷開，因此電路原型可以用圖2所示的模型表示，電容 C為MOS管的結(jié)電容或者外接電容。當(dāng)開關(guān)閉合時，如圖3所示，有 Vdd-Vd=L(d IL/dt)，由于ron 很小，所以Vd很小，近似為零。所以 Vdd≈L(dIL/d t)，解之得到：lL≈(V dd/L)t+ IL0，IL0是電感電流的初始值，可以看出當(dāng)開關(guān)閉合后電流隨時間線性增長。
在開關(guān)閉合時，如果電容不能充分放電，就要損耗1/2×CVd2的能量，所以電容必須能夠在輸入電壓變化的瞬間充分放電，也即當(dāng)dVd /dt=0時，Vd=0。一個信號由無數(shù)個諧波分量組成，利用 L1和C1組成的濾波器從 Vd的各次諧波中選擇等于輸入電壓頻率的基波分量，這也就對信號進行了相位或者頻率的調(diào)制，在功率放大以后傳送到負載上。電路中的參數(shù)隨輸入變化的關(guān)系如圖5 所示。
圖4 開關(guān)斷開
由于ron很小，所以在開關(guān)閉合的時候， ron上的電壓遠遠小于電源電壓V dd，它不會顯著地影響輸出回路中的電流，因此負載的輸出功率基本上不受晶體管特性的影響。電路中每個節(jié)點的電壓值都和電源的電壓成正比，所以傳送到負載上的功率也就和Vdd2成正比，同樣 ron消耗的功率也和Vdd 2成正比，所以效率η=PRL / (Pron+PRL)在一定的范圍內(nèi)為一定值，同時通過調(diào)整電壓可以保證一定的輸出功率。
存在的問題及解決措施
雖然圖1所示的電路在形式上簡單，但是本身帶有很多的問題。例如，作為開關(guān)使用的晶體管工作在可變電阻區(qū)，由于本身固有電阻 ron的存在，Ids= β[(Vgs-VT) Vds-(Vds2 /2)]，0＜Vds＜Vgs -VT，Ids為漏極電流， Vgs是柵源電壓，VT是器件的開啟電壓，β是MOS晶體管的跨導(dǎo)系數(shù)。其中β=( με/tox)(W/L)； μ為溝道中電子的有效表面遷移率；ε是柵絕緣層的介電常數(shù)； tox是柵絕緣層的厚度；W是溝道寬度； L是溝道長度。為了減少電阻ron的損耗，它的寬長比要盡量的大。晶體管的輸入電容C =εWL/tox一般都是通過感性負載耦合掉，超過一定的寬長比后，需要耦合的電感值就會太小，很難用CMOS工藝精確實現(xiàn)，而且大的柵漏電容 Cgd會引起輸出端到輸入端的強反饋，這導(dǎo)致了輸入和輸出之間的耦合。最后，單端輸出電路每個周期都要向地或者硅襯底泄放一次大的電流，這可能會引起襯底耦合電流的頻率和輸入、輸出信號的頻率相同，從而在輸出端產(chǎn)生了錯誤的信號?
差分結(jié)構(gòu)
采用如圖6的差分結(jié)構(gòu)可以解決襯底耦合的影響。在差分結(jié)構(gòu)中，輸入端為差模電壓。任意時刻，一個晶體管導(dǎo)通工作在可變電阻區(qū)，另一個工作在截止區(qū)，所以電流在一個周期中泄放到地或者襯底兩次，由此而引起的耦合電流的頻率為信號頻率的兩倍，這就消除了襯底耦合對信號的干擾。在同樣的電源電壓和輸出功率條件下， Vd+只需為單端電壓的1/2，因此通過差分結(jié)構(gòu)中的每個晶體管的電流要比單端的小得多，所以在不增加開關(guān)消耗全部功率條件下，可以使用尺寸較小的開關(guān)晶體管。
交叉耦合結(jié)構(gòu)
為了減小由于電阻ron 引起的損耗，引入了如圖7所示的交叉耦合反饋結(jié)構(gòu)。交叉耦合反饋使得晶體管可以在盡量短的時間內(nèi)完成"開"和"關(guān)"狀態(tài)的變化，功能如圖8所示。假設(shè) Vin+為正的高電壓、V in-為負電壓，Vin +高于開啟電壓VT， M1工作在可變電阻區(qū)，所以Vd+ 的電壓為零點幾伏，接近零；由于Vin -低于M4的開啟電壓， M4截止，Vd+作為M3的輸入電壓，其數(shù)值小于M3的開啟電壓，M3截止，因此加速了M4進入截止區(qū)；同時由于V d-的電壓接近于Vdd ，Vd-作為M2的輸入電壓使得M2導(dǎo)通，這同樣加速了晶體管M1進入深飽和。Vin+為負電壓，V in-為正的高電壓的情形類似。
電路實例
電路分析
圖9是電路實例。為了增大功率增益采用了二級放大結(jié)構(gòu)，M1,M4分別和M5,M8組成第一、二級差分結(jié)構(gòu)；M2,M3分別和M6,M7組成相應(yīng)的第一、二級交叉耦合正反饋；L1, L2, L3,L4 為激勵電感；L5,L6 ,C1組成諧振與信號頻率的諧振電路； RL為負載電阻。
參數(shù)選擇
本電路采用的是0.6μm工藝。M1,M2,M3 ,M4：W=1680μm，L=0.6μm；M5,M8：W =6172μm，L=0.6μm；M6,M7：W=8230μm， L="0".6μm。L1,L2 , L3 ,L4為0.37nH；L5 ,L6 為0.8 nH；C1=5.1pF；RL =50W。
模擬結(jié)果
PSPICE上模擬得到：在1.75GHz，V dd="1".5V時，效率為70%，附加功率增益為45%，增益為10，帶寬為560MHz。其結(jié)果由圖10，圖11，圖12示出。
結(jié)論
根據(jù)理論分析和模擬結(jié)果知道，采用差分和交叉耦合反饋的結(jié)構(gòu)可以提高E類放大器的效率，同時保證了一定功率增益和帶寬。在集成電路中高 Q的電感有很重要的作用，所以最好在芯片上做成螺旋電感，確保電路中的電感值為最優(yōu)值。