【2025年8月28日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）強化既有合作伙伴關系，共同開發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。

這項合作結合了英飛凌的超薄硅基（MOSFET）芯片與嵌入式封裝技術，以及臺達行業(yè)領先的電源模塊設計與制造能力，共同開發(fā)具備高能效的高功率密度電源模塊，以實現(xiàn)超大型數(shù)據(jù)中心xPUs（運算單元）的垂直供電架構（VPD）。相較于傳統(tǒng)的平面橫向供電分立式解決方案，垂直供電模塊可為單一機柜在三年的產(chǎn)品周期中減少高達150噸的二氧化碳排放。若未來的超大型數(shù)據(jù)中心將包含多達100個服務器機柜，總計二氧化碳減排量將相當于4000戶家庭一年的碳排放。 

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“與臺達的緊密合作是兩家公司相輔相成的一個完美的典范——結合英飛凌業(yè)界領先的硅基技術與封裝專業(yè)技術，和臺達卓越的模塊開發(fā)能力相結合。通過這項合作，我們攜手為超大型數(shù)據(jù)中心創(chuàng)造了顯著價值，在保持高效率與高可靠性的同時，也降低了成本，進一步推動了低碳化的進程。” 

臺達電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理陳盈源表示：“我們與英飛凌的合作已推進至共同開發(fā)高度先進的VPD模塊，可為客戶提供卓越的電源效率、可靠性與可擴展性。我們對于能夠在推動超大型數(shù)據(jù)中心電源基礎設施生態(tài)系統(tǒng)節(jié)能方面發(fā)揮關鍵作用而感到自豪，并且期待通過兩家公司的聯(lián)合創(chuàng)新為整個行業(yè)做出重要貢獻。” 

臺達的這項VPD模塊采用英飛凌的硅基OptiMOS? 90A功率級解決方案，其垂直供電技術是提高系統(tǒng)效率的關鍵因素，因為垂直供電實現(xiàn)了更直接且精簡的供電路徑。通過垂直供電而非橫向供電，VPD模塊可減少系統(tǒng)的供電網(wǎng)絡損耗，從而實現(xiàn)更高的功率密度與效率，同時也減少因電源損耗產(chǎn)生的散熱需求。另外，垂直供電設計還能釋放出更多系統(tǒng)板上的面積，幫助超大型數(shù)據(jù)中心更有效地利用空間，設計出更為緊湊與高密度的數(shù)據(jù)中心，并降低整體擁有成本。

隨著AI時代的持續(xù)推進，對高功率數(shù)據(jù)中心的需求正呈指數(shù)級增長。為滿足這一需求，數(shù)據(jù)中心需要能夠支持AI訓練與推理應用日益增長的功率需求的供電解決方案。此外，由于整合了更多高度互連的xPUs，IT機柜內(nèi)的密度日益增加，需要開發(fā)更高電壓的配電解決方案，更為高效地為這些高密度系統(tǒng)供電。英飛凌與臺達正在合作開發(fā)下一代AI數(shù)據(jù)中心電源供應解決方案，以應對在不久的將來這些數(shù)據(jù)中心機柜即將出現(xiàn)的兆瓦（MW）等級供電需求。 

除了在氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）電源解決方案方面擁有廣泛的產(chǎn)品組合外，英飛凌還是硅MOSFET領域的全球領導者，其設計的硅MOSFET旨在為電源開關、控制和轉(zhuǎn)換帶來一流的性能、可靠性與易用性，幫助產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案實現(xiàn)更高的效率、功率密度和成本效益。