2025年4月1日，中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。

根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用的光明前景。此外，根據協議約定，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。

意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發揮IDM這一模式的優勢，為全球客戶創造價值。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術部署，進一步完善現有的硅和碳化硅產品組合；另一方面，意法半導體也將通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。”

英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場。我們對于與意法半導體達成戰略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力于開發下一代氮化鎵技術。”

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉換、運動控制與驅動系統樹立了性能新標桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數據中心、工業電源與光伏逆變器領域迅速普及，并因其顯著的輕量化優勢，被積極應用于下一代電動汽車動力系統設計中。