12 月 26 日消息，美國商務部此前于當地時間 12 月 20 日正式宣布，將根據《CHIPS》法案激勵計劃提供高達 47.45 億美元（注：當前約 346.37 億元人民幣）的直接資金，補貼規模較今年 4 月初步條款備忘錄中的 64 億美元減少超 1/4。

對比兩份文件，發現三星電子承諾的在美半導體領域投資規模從 4 月的“超過 400 億美元”降至 12 月的“超過 370 億美元”，同時項目細節也相應有所調整：

三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座生產 3D HBM 和 2.5D 封裝的先進封裝設施，但在最終協議中刪去了有關內容；此外三星位于泰勒市的兩座先進制程工廠原本計劃專注量產 4nm、2nm 制程技術，但最終協議僅提及了 2nm。

這也帶動相關項目可提供的高薪制造業工作崗位和建筑工作機會從 4500 多個和超 17000 個降低到了 3500 多個和約 12000 個。

▲ 三星在美半導體設施工地

如此看來三星在美先進制程產能將重點關注下代尖端節點，而非目前已趨近成熟穩定的 4nm；同時三星也暫時擱置了在美提供先進制程 + 先進封裝“一站式”服務的計劃。

三星新任 foundry 負責人韓真晚曾表示該部門目前最關鍵的任務是實現 2nm 產能的快速（良率）爬坡。更優秀的工藝質量也有助于三星泰勒廠 2nm 贏得美國本土 Fabless 設計企業的青睞。