9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，實現了現有 HBM 產品中最大的 36GB 容量；公司將在年內向客戶提供此次產品。

首次消息影響，SK 海力士股價在韓國漲超 8%，市值超過 120.34 萬億韓元（注：當前約 6351.55 億元人民幣）。

據介紹，SK 海力士還堆疊 12 顆 3GB DRAM 芯片，實現與現有的 8 層產品相同的厚度，同時容量提升 50%。為此，公司將單個 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技術（TSV）技術垂直堆疊。

此外，SK 海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時產生的結構性問題。公司將其核心技術先進 MR-MUF 工藝應用到此次產品中，散熱性能較上一代提升了 10%，并增強了控制翹曲問題，從而確保穩定性和可靠性。

自 2013 年全球首次推出第一代 HBM 至第五代 HBM (HBM3E)，公司是唯一一家開發并向市場供應全系列 HBM 產品的企業。公司業界率先成功量產 12 層堆疊產品，不僅滿足了人工智能企業日益發展的需求，同時也進一步鞏固了 SK 海力士在面向 AI 的存儲器市場的領導者地位。

SK 海力士表示，12 層 HBM3E 在面向 AI 的存儲器所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水平。12 層 HBM3E的運行速度可達 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。