9月4日，在Semicon Taiwan 2024展會期間，SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“釋放AI內存技術的可能性”為題，分享SK海力士現有DRAM產品和HBM相關產品。同時，他還宣布SK海力士將于本月底量產12層HBM3E，開啟HBM關鍵戰場。

Kim Ju-Seon指出，全世界媒體談論AI、半導體和ChatGPT，這是新革命，但才剛開始。其中，中國臺灣和韓國是全世界最重視半導體的兩個地區，因此合作非常重要，除了對業務有好處，也能解決技術面臨的諸多挑戰。因為目前在AI挑戰只處于第一級、未來會持續發展至第五級，屆時AI能通過智力和情感層面與人類交流，但這一過程中，將會面臨電力、冷卻和內存帶寬需求等方面的挑戰。

目前AI面臨的最大挑戰是電力短缺，預期數據中心到時所需電力是目前的兩倍，只靠可再生能源仍難以滿足需求，電力增加的同時也會帶來發熱量的增加，因此需要找到更高效散熱的方式。目前SK海力士也努力開發能效更高、功耗更低、容量更大的AI內存，并針對不同應用推出相對應解決方案。

Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士最新的HBM產品是HBM3E，SK海力士也是最早生產8層HBM3E的供應商，并將在本月底開始大規模生產12層HBM3E。

從傳輸帶寬來看，12層堆疊的HBM3E的帶寬將會提升到36GB/s，而下一代的12/16層的HBM4的帶寬將會進一步提升到48GB/s。

Kim Ju-Seon進一步指出，下一代的HBM4將是首款基于邏輯制程的基礎裸晶（Base die）的產品，將以SK海力士先進的HBM技術搭配臺積電先進代工技術，使HBM4達到無與倫比的地位，之后將按照客戶需求進行量產。

除了已有的HBM3E外，SK海力士也介紹了目前最新的DIMM、企業級SSD（QLC eSSD）、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7產品。

針對全球制造布局，Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士在韓國龍仁市建立新設施，2027年新廠將進行量產，使龍仁聚落成為最大、最先進的半導體聚落之一；同時，SK海力士也會到美國印第安納州進行投資，計劃2028年營運新廠，聚焦HBM先進封裝技術。

最后Kim Ju-Seon表示，SK海力士將專注于AI業務，目標以AI為中心，以SK集團打造AI基礎構架，整合電力、軟件、玻璃基板、浸沒式冷卻技術，同時致力于成為生態系當中核心角色，與合作伙伴一同克服挑戰，在AI時代實現目標。