7月8日消息，據(jù)媒體報道，三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發(fā)團隊”，這一戰(zhàn)略舉措標志著三星在高性能內(nèi)存（HBM）技術(shù)領(lǐng)域的雄心與決心邁入了一個新階段。

該團隊將專注于前沿技術(shù)的研發(fā)，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術(shù)，旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市場份額。

回顧過往，三星自2015年起便在DRAM部門內(nèi)部深耕HBM技術(shù)的藍海，不僅設(shè)立了專項團隊，還成立了特別工作組，持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新與突破。此次組織架構(gòu)的升級，無疑是對過往努力的深化與加強，彰顯了三星對HBM技術(shù)未來發(fā)展的堅定信心。

為了加速搶占高附加值DRAM市場的制高點，三星展現(xiàn)出了驚人的研發(fā)速度與執(zhí)行力。今年年初，三星便宣布成功研發(fā)出HBM3E 12H DRAM，并緊隨其后在四月實現(xiàn)了HBM3E 8H DRAM的量產(chǎn)，這一系列成就不僅體現(xiàn)了三星的技術(shù)實力，也為其在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位奠定了堅實基礎(chǔ)。

值得注意的是，三星與英偉達等行業(yè)巨頭的合作也在不斷深入。自去年起，三星便積極向英偉達提供HBM3E樣品進行嚴苛驗證，涵蓋8層與12層堆疊技術(shù)，雖歷經(jīng)挑戰(zhàn)但進展顯著，預計將在今年第三季度末迎來部分驗證工作的圓滿完成，這一合作無疑將加速HBM技術(shù)在高端計算領(lǐng)域的普及與應(yīng)用。

此外，三星還通過官方渠道分享了HBM產(chǎn)品的最新研發(fā)進展，并明確透露了HBM4技術(shù)的研發(fā)時間表，即計劃于2025年首次亮相。這一消息不僅引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，也進一步激發(fā)了市場對未來高性能計算、人工智能等領(lǐng)域技術(shù)革新的期待。

更有傳言指出，三星正考慮在HBM4中引入革命性的非導電粘合膜（NCF）組裝技術(shù)和混合鍵合（HCB）技術(shù)，以優(yōu)化高溫環(huán)境下的熱特性，進一步提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，這將是對現(xiàn)有技術(shù)邊界的又一次勇敢探索。