7 月 3 日消息，國內(nèi)存儲芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新昨日宣布成功量產(chǎn) 512Mb 高可靠性工業(yè)級 2D NAND 閃存芯片。
512Mb 的容量使得這款 2D NAND 閃存芯片可同時容納系統(tǒng)代碼和用戶數(shù)據(jù)，為此后的系統(tǒng)代碼升級留有足夠空間。
至訊創(chuàng)新表示，這款全新的閃存芯片在完全達到工業(yè)級性能和可靠性要求的同時，對芯片尺寸做了全面優(yōu)化，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)同等容量下最小的芯片尺寸，“性價比優(yōu)勢凸顯”。
▲ 至訊創(chuàng)新工業(yè)級 SLC NAND 閃存渲染圖
該閃存芯片支持多比特片上 ECC 糾錯，擁有至高 10 萬次的擦寫周期，可在-40~+85℃的溫度下工作，滿足嚴苛工業(yè)級測試，至訊創(chuàng)新也正在對該芯片對應(yīng)的車規(guī)級版本進行驗證。
整理至訊創(chuàng)新近年存儲產(chǎn)品發(fā)布信息如下：
2022 年 12 月 13 日：國內(nèi)首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 閃存開發(fā)成功；
2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 閃存全面量產(chǎn)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。