6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點(diǎn)有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場(chǎng)，外媒對(duì)此做了一個(gè)綜合性的分析。

報(bào)道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。

CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項(xiàng)要點(diǎn)：

1、3D堆疊及TSV技術(shù)的挑戰(zhàn)

在堆疊精度部分，在HBM中，多個(gè)DRAM芯片需要高度精準(zhǔn)的堆疊在一起。這需要極高的制造技術(shù)水準(zhǔn)，以確保每層芯片的對(duì)準(zhǔn)精度，以避免電氣性能的損失。至于，硅穿孔制成技術(shù)上，因?yàn)門SV技術(shù)是將垂直通孔穿透每一層硅片，并在通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料。這一過程涉及精密的刻蝕和填充技術(shù)，稍有不慎就可能導(dǎo)致電氣連接問題或熱應(yīng)力問題。

2、熱管理

由于HBM芯片是3D堆疊結(jié)構(gòu)，相較于傳統(tǒng)的2D芯片，單位體積內(nèi)的熱量密度更高，這會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的熱量難以散發(fā)，可能引發(fā)熱失效。因此，CowoS封裝需要設(shè)計(jì)高效的熱管理方案，例如使用先進(jìn)的散熱材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，來確保芯片的熱穩(wěn)定性。

3、電源和信號(hào)完整性

HBM需要高頻寬的數(shù)據(jù)傳輸，這對(duì)電源分配網(wǎng)絡(luò)提出了極高的要求。任何電源噪聲都可能影響HBM的性能，導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤。因此，CowoS封裝必須確保穩(wěn)定的電源供應(yīng)和有效的噪聲抑制。還有信號(hào)完整性問題，也就是高速數(shù)據(jù)傳輸對(duì)信號(hào)完整性產(chǎn)生了挑戰(zhàn)，CowoS封裝需要確保在高頻環(huán)境下，信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴＿@牽涉到阻抗匹配、信號(hào)線長(zhǎng)度優(yōu)化以及減少信號(hào)干擾等技術(shù)。

4、封裝技術(shù)的復(fù)雜性

由于CowoS封裝需要將硅片、基板和散熱材料等多種材料整合在一起，這要求各材料的熱膨脹系數(shù)匹配，以避免因熱膨脹差異導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力和芯片損壞。還有封裝可靠性問題，例如在CowoS封裝中的多層結(jié)構(gòu)和復(fù)雜的連接方式，都需要確保封裝的長(zhǎng)期可靠性，包括抗機(jī)械沖擊、熱循環(huán)和電遷移等因素的影響。

5、制造成本

當(dāng)然成本是影響產(chǎn)品商業(yè)化專關(guān)鍵的部分，由于CowoS封裝涉及復(fù)雜的制造技術(shù)和生產(chǎn)的高精度設(shè)備，其制造成本較傳統(tǒng)封裝方式高得多。這對(duì)量產(chǎn)提出了經(jīng)濟(jì)性挑戰(zhàn)，需要在高性能和成本之間找到平衡。

整體來說，HBM在CowoS封裝中的應(yīng)用，盡管面臨多方面的技術(shù)難題，但其所帶來的高頻寬和低功耗優(yōu)勢(shì)，使其在高性能計(jì)算和AI芯片領(lǐng)域中具有巨大的潛質(zhì)。隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，這些技術(shù)難題有望逐步被克服，進(jìn)而進(jìn)一步推動(dòng)HBM技術(shù)的普及應(yīng)用。