6月13日消息，DRAM大廠(chǎng)美光去年就宣布計(jì)劃在斥資6,000至8,000億日原在日本廣島興建DRAM新廠(chǎng)，預(yù)計(jì)2026年初動(dòng)工、最快2027年底前完成廠(chǎng)房建設(shè)、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝并投入營(yíng)運(yùn)。

據(jù)了解，美光廣島DRAM新廠(chǎng)地點(diǎn)將緊鄰已建成的Fab15。新廠(chǎng)初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠(chǎng)，未包含后段封裝及測(cè)試，產(chǎn)能將著重于HBM產(chǎn)品。同時(shí)，美光廣島DRAM新廠(chǎng)還將首導(dǎo)入極紫外光（EUV）光刻設(shè)備，生產(chǎn)先進(jìn)1-Gamma制程的DRAM，后續(xù)也將導(dǎo)入1-Delta制程，因此EUV設(shè)備安裝數(shù)量將大幅增加，并多加采用調(diào)高無(wú)塵室。

至于廣島Fab 15是HBM晶圓量產(chǎn)廠(chǎng)區(qū)，負(fù)責(zé)前段晶圓生產(chǎn)及硅穿孔（TSV）制程，后段堆疊及測(cè)試制程由臺(tái)灣的臺(tái)中后段廠(chǎng)負(fù)責(zé)。另有市場(chǎng)消息傳出，隨著HBM需求擴(kuò)張，臺(tái)灣OMT（One Mega Taiwan）明年起將加入HBM晶圓量產(chǎn)廠(chǎng)區(qū)，投入晶圓生產(chǎn)及TSV制程。

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce指出，由于HBM市場(chǎng)需求蓬勃發(fā)展，且生產(chǎn)良率較低、晶粒尺寸較大等因素，相同位產(chǎn)出的HBM相較DDR5約需消耗3倍投片量，且會(huì)排擠傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能。

如果美光要加速HBM市場(chǎng)滲透，考慮到2025年產(chǎn)能已被客戶(hù)預(yù)訂一空，新廠(chǎng)建設(shè)需求勢(shì)在必行。同時(shí)，美光計(jì)劃到2025年HBM產(chǎn)品線(xiàn)市占率保持在20%~25%水平，目標(biāo)提高至與傳統(tǒng)DRAM相當(dāng)。

這次廣島新廠(chǎng)也獲得日本政府補(bǔ)貼，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省去年10月宣布將提供美光1,920億日原建廠(chǎng)及設(shè)備補(bǔ)貼，另針對(duì)生產(chǎn)成本最高補(bǔ)貼88.7億日元、研發(fā)成本最高補(bǔ)貼250億日元。