4 月 23 日消息，三星半導(dǎo)體今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，比三星上一代產(chǎn)品提高約 50% 的位密度（bit density），通過通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率。
憑借當前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代 V-NAND 的位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。單元干擾避免和單元壽命延長等新技術(shù)特性的應(yīng)用提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲單元的平面面積。
此外，三星的“通道孔蝕刻”技術(shù)通過堆疊模具層來創(chuàng)建電子通路，可在雙層結(jié)構(gòu)中同時鉆孔，達到三星最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了制造生產(chǎn)率。隨著單元層數(shù)的增加，穿透更多單元的能力變得至關(guān)重要，這就對更復(fù)雜的蝕刻技術(shù)提出了要求。
第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
與上一代產(chǎn)品相比，基于三星在低功耗設(shè)計方面取得的進步，第九代 V-NAND 的功耗也降低了 10%。
三星已于本月開始量產(chǎn)第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品，并將于今年下半年開始量產(chǎn)四層單元（QLC）第九代 V-NAND。
韓媒 Hankyung 稱三星第 9 代 V-NAND 閃存的堆疊層數(shù)是 290 層，不過IT之家早前報道中提到，三星在學術(shù)會議上展示了 280 層堆疊的 QLC 閃存。
半導(dǎo)體行業(yè)觀察機構(gòu) TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望達到 430 層，進一步提升堆疊方面的優(yōu)勢。
