3 月 28 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正在昨日舉行的年度股東大會上表示，今年 HBM 在整體 DRAM 內(nèi)存的銷售占比將達到兩位數(shù)，明年供應情況依舊緊張。

在回答股東為何 SK 海力士在 AI 爆火、HBM 熱銷的去年仍出現(xiàn) 9 萬億韓元（IT之家備注：當前約 482.4 億元人民幣）凈虧損的提問時，郭魯正表示這是因為占銷售額絕大部分的常規(guī) DRAM 產(chǎn)品價格下滑，而 HBM 雖然火爆但去年銷售額占比僅有個位數(shù)。

除了 HBM 的占比提升，這位 CEO 還稱由于常規(guī) DRAM 內(nèi)存價格從去年四季度開始好轉(zhuǎn)，內(nèi)存業(yè)務整體盈利能力將全面改善。

而在 NAND 閃存、固態(tài)硬盤方向，郭魯正稱 SK 海力士將調(diào)整策略方向，從關注市場份額轉(zhuǎn)向提升盈利能力，繼續(xù)推進高利潤產(chǎn)品組合，因為去年的大膽投資遭遇了嚴重虧損。

對于圖像傳感器 CIS 業(yè)務，SK 海力士正在進行重組，沒有退出這部分業(yè)務的計劃。

此外在技術層面，郭魯正認為 HBM 內(nèi)存將針對客戶需求進行定制，逐漸擺脫通用標準產(chǎn)品的身份。韓媒 The Elec 稱 SK 海力士已收到來自谷歌的定制 HBM 訂單。

對于中國產(chǎn)能，SK 海力士方面表示已收到了升級許可，可將無錫工廠的 DRAM 工藝更新至 1a nm 制程。