SK 海力士準(zhǔn)備首次將2.5D 扇出（Fan out）封裝作為下一代內(nèi)存技術(shù)。根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，SK海力士準(zhǔn)備在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封裝技術(shù)。

韓媒BusinessKorea報(bào)道稱(chēng)，這種技術(shù)將兩個(gè)DRAM芯片橫向排列，再像芯片一樣組合，因?yàn)樾酒旅鏇](méi)添加基板，能使芯片更薄，安裝在IT設(shè)備時(shí)的芯片厚度能大幅減少。SK 海力士最快明年公開(kāi)采用這種封裝方式的研究成果。

2.5D 扇出封裝技術(shù)以前從未用于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，過(guò)去主要是用于先進(jìn)的系統(tǒng)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。臺(tái)積電2016年首次將扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）商業(yè)化，將其16納米應(yīng)用處理器與移動(dòng)應(yīng)用的DRAM整合到iPhone 7的一個(gè)封裝中，從而使這項(xiàng)技術(shù)推向舞臺(tái)。三星電子從今年第四季開(kāi)始將這一技術(shù)導(dǎo)入 Galaxy 智能手機(jī)高級(jí) AP 封裝中。

外界猜測(cè)，SK 海力士之所以在內(nèi)存使用扇出封裝，是為了降低封裝成本。2.5D 扇出封裝技術(shù)可跳過(guò)硅通孔（TSV）制程，從而提供更多 I/O 數(shù)量并降低成本。業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，這種封裝技術(shù)將應(yīng)用于Graphic DRAM（GDDR）和其他需要擴(kuò)展信息I/O產(chǎn)品。

除了利用這項(xiàng)技術(shù)外，SK 海力士也努力鞏固與英偉達(dá)的合作，后者在HBM市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位; SK 海力士也成為蘋(píng)果 Vision Pro 中 R1 這種特殊 DRAM 芯片的獨(dú)家供應(yīng)商。