世界各國(guó)政府希望在未來(lái)幾年內(nèi)停止銷售汽油和柴油汽車，有的最早到 2030 年就要停止。據(jù)此，市場(chǎng)研究專家 Statista 預(yù)計(jì)，未來(lái)四年電動(dòng)汽車市場(chǎng)收入將呈現(xiàn) 17.02% 的驚人年增長(zhǎng)率（CAGR），預(yù)計(jì)到 2027 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 8580 億美元。
面對(duì)這些預(yù)測(cè)，可以理解的是，不僅汽車公司，還有各個(gè)運(yùn)輸行業(yè)都在忙于實(shí)施數(shù)十年來(lái)最大的運(yùn)營(yíng)變革，這對(duì)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成設(shè)計(jì)提出了許多挑戰(zhàn)。對(duì)于大多數(shù)汽車工程師來(lái)說(shuō)，電動(dòng)汽車動(dòng)力總成技術(shù)代表著新的領(lǐng)域，需要大量資源和時(shí)間來(lái)創(chuàng)建安全高效的解決方案。碳化硅（SiC）正是在這方面發(fā)揮了主要優(yōu)勢(shì)。
電動(dòng)汽車技術(shù)方面顯而易見(jiàn)又被忽略的事實(shí)當(dāng)然是里程焦慮。雖然這里的重點(diǎn)是電池容量，但動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)和汽車系統(tǒng)電子設(shè)備也必須證明是高效的，并且能夠在苛刻的條件下實(shí)現(xiàn)大功率最佳性能。正如許多權(quán)威機(jī)構(gòu)所確認(rèn)的，這就是 SiC 受到關(guān)注的原因。例如，英國(guó)先進(jìn)推進(jìn)中心，從硅電力電子設(shè)備轉(zhuǎn)換為基于碳化硅的電力電子設(shè)備可以提高約 10% 的效率。
SiC 的特性還使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建尺寸、重量和形狀系數(shù)大幅減小的電源系統(tǒng)。盡管有這么多好處，工程師應(yīng)該注意，使用 SiC 進(jìn)行設(shè)計(jì)與使用傳統(tǒng)的硅 MOSFET 或 IGBT 不同。大多數(shù)細(xì)微差別涉及特殊技術(shù)的使用，這些技術(shù)有助于高速開(kāi)關(guān)時(shí)的安全操作。
為了降低工程資源成本并縮短上市時(shí)間，需要完全集成的解決方案。CISSOID 的 SiC 牽引逆變器開(kāi)發(fā)平臺(tái)滿足了這一需求，支持高達(dá) 850V/350kW 的傳動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)的核心組件包括： 三相 1200V 智能功率模塊（IPM），具有強(qiáng)大且耐高溫的柵極驅(qū)動(dòng)器，針對(duì) SiC 應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化；電機(jī)控制板和可定制軟件；直流和相電流傳感器、緊湊型液體冷卻器；專門設(shè)計(jì)的高密度直流支撐電容器和 EMI 濾波器。
圖 1.CISSOID 高壓 SiC 逆變器參考設(shè)計(jì)
這些嵌入式構(gòu)建組塊中的每一個(gè)都在提供平臺(tái)的全面功能和模塊化方面發(fā)揮著重要作用。
CISSOID 的三相液冷 1200V SiC MOFSET IPM（圖 2）可充分發(fā)揮 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)低開(kāi)關(guān)損耗和高溫運(yùn)行幫助開(kāi)發(fā)人員實(shí)現(xiàn)大功率密度。CISSOID 的 SiC IPM 產(chǎn)品組合采用模塊化設(shè)計(jì)來(lái)滿足不斷變化的電壓/電流要求，包括最大持續(xù)電流能力從 340A 到 550A 的模塊。IPM 由三個(gè)碳化硅 MOSFET 半橋組成，與最先進(jìn)的 IGBT 功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗至少降低了三倍。
圖 2.CISSOID 的三相 1200V 340A-550A 智能功率模塊（IPM）
為了充分利用快速開(kāi)關(guān)和低損耗 SiC MOSFET，工程師需要快速、強(qiáng)大且穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器。將柵極驅(qū)動(dòng)器與功率模塊集成在一起，就開(kāi)關(guān)速度和損耗、針對(duì) dI/dt 和 dV/dt 的魯棒性以及功率級(jí)的保護(hù)而言，可以直接獲得經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證和優(yōu)化的解決方案。
CISSOID 的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器提供超過(guò) 10A 的高峰值電流，同時(shí)還提供高達(dá) 125℃ 環(huán)境溫度下的運(yùn)行能力。簡(jiǎn)而言之，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器有助于最大限度地減少提供完美模塊性能和熱管理所需的迭代次數(shù)。
SiC 電源模塊能夠更快地開(kāi)關(guān)并以更高的頻率運(yùn)行，因此必須采用能夠更快地運(yùn)行實(shí)時(shí)算法的控制器技術(shù)。
CISSOID 基于芯力能（Silicon Mobility）公司的 OLEA? T222 FPCU，開(kāi)發(fā)了一款控制板，可為汽車電機(jī)控制應(yīng)用提供實(shí)時(shí)處理、控制和功能安全（獲得 ISO 26262 ASIL-D Ready 功能安全證書(shū)）。控制硬件和軟件有效地處理來(lái)自電機(jī)位置、電流和溫度傳感器的信號(hào)。值得注意的是，控制板和 IPM 之間的機(jī)械和電氣集成消除了開(kāi)發(fā)人員道路上的另一個(gè)障礙。
該平臺(tái)集成了芯力能公司的 OLEA APP INVERTER 控制軟件（圖 3），而工程師可以使用 OLEA COMPOSER 設(shè)計(jì)工具來(lái)縮短開(kāi)發(fā)和優(yōu)化電機(jī)控制軟件所需的時(shí)間。
圖 3.芯力能公司的 OLEA APP INVERTER 控制軟件
還有兩個(gè)設(shè)計(jì)要點(diǎn)值得注意。第一，CISSOID 提供 3D 打印冷卻器參考設(shè)計(jì)，用于冷卻和快速評(píng)估電源模塊（圖 4）。第二，CISSOID 與 NAC Semi 和 Advanced Conversion 合作創(chuàng)建了一種電感和 ESR 非常低的高密度直流支撐電容器，為開(kāi)發(fā)人員提供充分的自由度來(lái)利用 SiC MOSFET 的快速開(kāi)關(guān)能力。
圖 4.CISSOID 的 SiC 逆變器平臺(tái)包括 SiC IPM、控制板、緊湊型液體冷卻器和低 ESL 直流支撐電容器
最終，CISSOID 獨(dú)特的硬件和軟件模塊化平臺(tái)讓開(kāi)發(fā)人員能夠在短短幾個(gè)月內(nèi)開(kāi)發(fā)高度緊湊、高效且極其安全的 SiC 牽引逆變器或有源整流器。與傳統(tǒng) OEM 時(shí)間表相比，這可以節(jié)省一到兩年的 SiC 逆變器開(kāi)發(fā)時(shí)間。
更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
