目標(biāo)

　　本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路，以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管的單向電流閥或整流器。

　　背景知識

　　電源使用傳統(tǒng)二極管整流交流電壓以獲得直流電壓時(shí)，必須對某些本身效率低下的部分進(jìn)行整流。標(biāo)準(zhǔn)二極管或超快速二極管在額定電流時(shí)可能具有1 V或更高的正向電壓。二極管的該正向壓降與交流電源串聯(lián)，這會降低潛在的直流輸出電壓。此外，該壓降與通過二極管提供的電流的乘積意味著功耗和發(fā)熱量可能相當(dāng)大。

　　肖特基二極管的較低正向電壓是對標(biāo)準(zhǔn)二極管的改進(jìn)。但是，肖特基二極管同樣有一個(gè)內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動(dòng)開關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指根據(jù)極性在交流波形的適當(dāng)時(shí)間點(diǎn)開關(guān)FET器件，因此它可充當(dāng)整流器，僅在所需方向上傳導(dǎo)電流。

　　與結(jié)型二極管的情況不同，F(xiàn)ET的傳導(dǎo)損耗取決于導(dǎo)通電阻（R_DS（ON））和電流。選擇低R_DS（ON）的足夠大FET可將正向壓降降低到任何二極管所能實(shí)現(xiàn)的壓降的一小部分。因此，同步整流器的損耗將比二極管低得多，有助于提高整體效率。

　　由于必須同步用于開關(guān)FET的柵極信號，因此相比基于二極管的整流器，電路設(shè)計(jì)更為復(fù)雜。與必須去除二極管所產(chǎn)生熱量而增加的復(fù)雜性相比，這種復(fù)雜性常常更容易處理。隨著效率要求不斷提高，很多情況下沒有比使用同步整流更好的選擇。

　　材料

　　▲ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

　　▲無焊試驗(yàn)板

　　▲跳線

　　▲一個(gè)具有軌到軌到軌輸入/輸出的AD8541 CMOS運(yùn)算放大器

　　▲一個(gè)ZVP2110A PMOS晶體管（或等效元件）

　　▲一個(gè)4.7 μF電容

　　▲一個(gè)220 μF電容

　　▲一個(gè)10 Ω電阻

　　▲一個(gè)2.2 kΩ電阻

　　▲一個(gè)47 kΩ電阻

　　▲一個(gè)1 kΩ電阻

　　說明

　　在試驗(yàn)板上構(gòu)建圖1所示的簡易半波整流器電路。有源柵極驅(qū)動(dòng)電路使用運(yùn)算放大器（AD8541）檢測來自AWG輸出的交流輸入波形何時(shí)高于輸出電壓V_OUT（在正值方向上），進(jìn)而接通PMOS晶體管M1。該電路可以為低至運(yùn)算放大器最小電源電壓（AD8541為2.7 V）或PMOS器件柵極閾值電壓（ZVP2110A典型值為1.5 V）的交流電壓提供有源整流。在較低輸入電壓下，MOSFET的背柵極到漏極二極管接管，充當(dāng)普通二極管整流器。

　　圖1.使用自供電運(yùn)算放大器的有源半波整流器

　　圖2.使用自供電運(yùn)算放大器試驗(yàn)板電路的有源半波整流器

　　當(dāng)V_IN大于V_OUT時(shí)，運(yùn)算放大器將接通PMOS晶體管，公式如下：

　　其中（電壓以地為基準(zhǔn)）：

　　V_GATE為M1柵極的電壓。

　　V_IN為交流輸入電壓。

　　V_OUT為C1和R_L處的輸出電壓。

　　輸入和輸出電壓可以與PMOS的漏源電壓V_DS和柵源電壓V_GS關(guān)聯(lián)起來，公式如下：

　　將這些方程組合起來，便可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)與漏源電壓的函數(shù)關(guān)系：

　　如果R2的值是R1的21倍（1 MΩ/47 kΩ），則M1漏源電壓VDS上的75 mV壓降足以導(dǎo)通閾值電壓為–1.5 V的PMOS晶體管。R2與R1的比率可以更大，從而降低輸入到輸出電壓降或支持閾值電壓更高的晶體管。

　　運(yùn)算放大器由輸出平整電容C1供電，因此不需要額外的電源。對于為該電路選擇的運(yùn)算放大器有一定的要求。放大器必須具有軌到軌輸入和輸出，并且在電源軌附近工作時(shí)不會出現(xiàn)增益相位反轉(zhuǎn)。運(yùn)算放大器的帶寬限制了電路的頻率響應(yīng)。為了提高效率，該應(yīng)用常常選擇低電源電流運(yùn)算放大器，因此帶寬和壓擺率一般較低。在較高交流輸入頻率（可能高于500 Hz）下，放大器的增益將開始下降。AD8541單電源CMOS運(yùn)算放大器滿足所有這些要求，并且電源電流低至僅45 ?A。

　　硬件設(shè)置

　　使用自供電運(yùn)算放大器的有源半波整流器的試驗(yàn)板連接如圖2所示。

　　程序步驟

　　AWG1連接為V_IN，應(yīng)配置為幅度大于6 V峰峰值、零偏移和100 Hz頻率的正弦波。示波器輸入用于監(jiān)視電路周圍的各個(gè)點(diǎn)，例如V_IN、V_OUT、R_S兩端的電壓，以及通過R_S和M1柵極的電流。

　　開始時(shí)，C1使用220 μF的較大電容。220 μF和4.7 μF電容都是極化的，因此請務(wù)必將正極和負(fù)極正確連接到電路。

　　使用兩個(gè)示波器輸入監(jiān)視V_IN處的輸入交流波形和V_OUT處的直流輸出波形。V_OUT應(yīng)該非常接近V_IN的峰值。現(xiàn)在用小得多的4.7 μF電容替換220 μF大電容。觀察V_OUT處的波形變化。當(dāng)V_OUT的值最接近V_IN時(shí)，將交流輸入周期的間隔與晶體管M1的柵極電壓進(jìn)行比較。

　　圖3.使用220μF電容的V_OUT和V_IN Scopy圖

　　圖4.使用4.7 μF電容的V_OUT和V_IN Scopy圖

　　示波器通道2連接在分流器（即10 Ω電阻R_S）兩端，使用測量特性獲取電流的峰值和平均值。將平均值與2.2 kΩ負(fù)載電阻RL的直流值進(jìn)行比較，后者是根據(jù)V_OUT測量電壓計(jì)算得出的。對220  μF和4.7  μF電容值重復(fù)此測量。

　　此電路的其他用途

　　一個(gè)僅允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)且開關(guān)兩端的電壓降非常低的電路，還有其他潛在用途。在電池充電器中，輸入電源可能是間歇性的（例如太陽能電池板或風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)），當(dāng)輸入電源沒有產(chǎn)生足夠高的電壓來為電池充電時(shí)，有必要防止電池放電。為此目的一般使用簡單的肖特基二極管，但正如背景部分所指出的，這會導(dǎo)致效率損失。使用工作電源電流足夠低的運(yùn)算放大器時(shí)，其電流通常可以低于大肖特基二極管的反向漏電流。

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