氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的導通電阻，因此能夠降低損耗、減少發熱，提供高效節能，使得元器件的體積能夠更加精簡，正因如此，氮化鎵技術的應用也越來越多，本文就帶大家了解一下氮化鎵技術應用在了哪些方面。

　　氮化鎵器件現在普遍應用在了構建放大器電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）中。其中大多數氮化鎵HEMT用于功率放大應用。然而，氮化鎵HEMT和其他晶體管變體也可用于低噪聲和寬帶放大器。如今，氮化鎵開關和二極管也變得越來越普遍，通常可用于取代砷化鎵（GaAs）、硅（Si）、硅鍺（SiGe）或磷化銦（InP）器件。

　　在新一代的電力電子器件制造中，如果使用氮化鎵，那么相較于用原來的硅材料，可以在體積上變得更小，而且在運行速率方面更快更高效。這就可以減少電力電子元件的質量、體積，便于攜帶或者使用，還可以增加電力電子元件的使用壽命，從而減少生命周期成本。因為有了氮化鎵技術的支持，就可允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現更高的性能。

　　充電器也是氮化鎵技術的一個主要應用方面。氮化鎵技術所具備的快速開關優勢，提高了充電器的開關頻率，減小變壓器體積，并降低器件的散熱需求，從而顯著縮小了充電器的體積，使充電器具備更大的輸出功率，更多的輸出接口，深受消費者的喜愛。不同于普通充電器，車充由于受限于點煙器接口的尺寸限制，體積往往無法做大，如果采用傳統功率器件，輸出功率難以進一步提升。但是將氮化鎵功率器件應用在車充產品中，就能夠提升輸出功率，并且保持原有的體積不變。

　　在當下快速發展的5G通信中也有用到氮化鎵技術，射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵、砷化鎵和磷化銦是射頻應用中常用的半導體材料。而氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度、低能耗、適合高頻率、支持寬帶寬等特點。

　　5G大功率基站氮化鎵功率放大器就是氮化鎵技術在5G中的一個重要應用，這種放大器主要應用于5G大功率基站中，解決了5G移動網絡中面積小但數據流量請求相對集中的問題。在5G毫米波的應用上，氮化鎵的高功率密度特性在實現相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可以有效減少收發通道數和整體方案的尺寸。

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