1 月 17 日消息，據科技日報報道，中國科學技術大學郭光燦院士團隊任希鋒研究組與國外同行合作，基于量子" target="_blank">光量子集成芯片，在國際上首次展示了四光子非線性產生過程的干涉。相關成果于 1 月 13 日發表在光學權威學術期刊《光學（Optica）》上。

▲ 用于實現四光子非線性量子干涉的集成光量子芯片 | 圖源：中國科學技術大學網站

中國科學技術大學表示，量子干涉是眾多量子應用的基礎，特別是近年來基于路徑不可區分性產生的非線性干涉過程越來越引起人們的關注。盡管雙光子非線性干涉過程已經實現了二十多年，并且在許多新興量子技術中得到了應用，直到 2017 年人們才在理論上將該現象擴展到多光子過程，但實驗上由于需要極高的相位穩定性和路徑重合性需求，一直未獲得新的進展。光量子集成芯片，以其極高的相位穩定性和可重構性逐漸發展成為展示新型量子應用、開發新型量子器件的理想平臺，也為多光子非線性干涉研究提供了實現的可能性。

任希鋒研究組長期致力于硅基光量子集成芯片開發及相關應用研究并取得系列重要進展，在前期工作基礎上，研究組同德國馬克斯普朗克光科學研究所 MarioKrenn 教授合作，通過進一步將多光子量子光源模塊、濾波模塊和延時模塊等結構進一步片上級聯，在國際上首次展示了四光子非線性產生過程的相干相長、相消過程。而雙光子符合并未觀測到隨相位的明顯變化，這同理論預期一致。整個實驗在一個尺寸僅為 3.8×0.8mm2 的硅基集成光子芯片上完成。

該成果成功地將兩光子非線性干涉過程擴展到多光子過程，為新型量子態制備、遠程量子計量以及新的非局域多光子干涉效應觀測等眾多新應用奠定了基礎。

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