1947年12月，人類第一代半導(dǎo)體放大器件在貝爾實驗室誕生，其發(fā)明者肖克利及其研究小組成員將這一器件命名為晶體管。

　　今年是晶體管誕生的第75年，其發(fā)展已經(jīng)陷入了瓶頸，我們是否還能找到新方法延續(xù)摩爾定律？

　　2022年，我們依然需要新的晶體管

　　為了紀(jì)念晶體管被發(fā)明75周年，IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）電子器件分會（E lectron Device Society ）組織了一場活動，在此活動上有Fin-FET的發(fā)明者胡正明教授對晶體管的過去進(jìn)行回顧。

　　我們的世界是否還需要更好的晶體管？

　　胡正明在演講中給出了肯定的回答，并給出了三個理由:

　　第一，隨著晶體管的改進(jìn)，人類掌握了從未想象到的新能力，例如計算和高速通信、互聯(lián)網(wǎng)、智能手機、內(nèi)存和存儲、計算機技術(shù)、人工智能，可以想象的是，未來還會有其他新技術(shù)涌現(xiàn)出來；

　　第二，晶體管廣泛的應(yīng)用正在改變所有技術(shù)、工業(yè)和科學(xué)，同時半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)不想其他技術(shù)一樣受到其材料和能源使用的限制，IC使用相對較少的材料就可以生產(chǎn)，并且正在變得越來越小，使用的材料也越來越少，IC本身也在變得更快更高效；

　　第三，理論而言，信息處理所需的能量依然可以減少到今天所需能量的千分之一以下，雖然我們可能還不知道如何達(dá)到這種理論效率，但我們知道這在理論上可行，而其他大部分技術(shù)的能源效率已經(jīng)達(dá)到理論極限。

　　2030年，單顆芯片可容納1萬億個晶體管

　　需要新的晶體管是事實，但研發(fā)制造出新的晶體管已經(jīng)舉步維艱，無論是在經(jīng)濟上還是在技術(shù)上，都遇到了新的困難。

　　近期，F(xiàn)in-FET的進(jìn)步能夠帶來的性能提升和功耗降低變得越來越有限，業(yè)界正在采用一種新的3D CMOS結(jié)構(gòu)的環(huán)柵（GAA）制造新的晶體管。

　　英特爾為了進(jìn)一步縮小晶體管的三維尺寸，用RibbonFET的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了GAA，但是發(fā)現(xiàn)源極和漏極之間的距離進(jìn)一步縮小的同時，會產(chǎn)生比較明顯的短溝道效應(yīng)而漏電。

　　如果將傳統(tǒng)的通道材料硅材料換成非硅的新材料，就能改善這種情況。學(xué)術(shù)界也有了一些相關(guān)的研究，使用一種名為過渡金屬硫化物的材料作為通道材料，這種材料只有三個原子的厚度，電子流動性好，作為通道材料有天然優(yōu)勢。

　　在這種2D材料方面，針對這種材料，英特爾也做了很多研究和分析，并在會議上展示了一種全環(huán)繞柵極堆疊式納米片結(jié)構(gòu)，使用了厚度僅三個原子的2D通道材料，同時在室溫下實現(xiàn)了近似理想的低漏電流雙柵極結(jié)構(gòu)晶體管開關(guān)。

　　除此之外，3D封裝技術(shù)也能進(jìn)一步提升單個設(shè)備中晶體管的數(shù)目。

　　英特爾在3D封裝方面也取得了新進(jìn)展，與IEDM 2021上公布的成果相比，英特爾IEDM 2022上展示的最新混合鍵合研究將功率密度和性能又提升了10倍。

　　另外，通過混合鍵合技術(shù)將互連間距繼續(xù)微縮到3微米，英特爾實現(xiàn)了與單片式系統(tǒng)級芯片（system-on-chip）連接相似的互連密度和帶寬。加上將多芯片互連的工藝?yán)镄枰牟牧蠐Q成無機材料，以便于與封裝廠多種工藝要求兼容。

　　雖然進(jìn)一步實現(xiàn)晶體管的微縮是一件需要耗費巨大財力和人力的事情，但依然有像英特爾這樣的企業(yè)在持續(xù)投入研發(fā)，并對晶體管的未來抱有期望。

　　英特爾認(rèn)為，從2023年到2030年，單個設(shè)備中晶體管的數(shù)目將翻10倍，即從1千億個晶體管到1萬億個晶體管。

　　要實現(xiàn)這個目標(biāo)，需要整個行業(yè)持續(xù)投入研發(fā)，嘗試更多可行的技術(shù)。

　　中國科學(xué)家設(shè)計1nm晶體管驚艷全世界

　　在不久之前，我們曾披露，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的周鵬教授，包文中研究員及信息科學(xué)與工程學(xué)院的萬景研究員，創(chuàng)新地提出了硅基二維異質(zhì)集成疊層晶體管技術(shù)。

　　該技術(shù)利用成熟的后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配的物理特性，成功實現(xiàn) 4 英寸大規(guī)模三維異質(zhì)集成互補場效應(yīng)晶體管。

　　該技術(shù)成果的文章發(fā)表在 nature electronics，并受到大家廣泛關(guān)注，以下為引言部分——

　　大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小依賴于新型材料、器件架構(gòu)和工藝流程的持續(xù)創(chuàng)新，大數(shù)據(jù)和即時數(shù)據(jù)的傳輸逐漸成為信息技術(shù)發(fā)展的主要趨勢。目前已經(jīng)提出了諸如鰭型場效應(yīng)晶體管（FinFET）、全柵（GAA）以及垂直堆疊的叉片和CFET器件等巧妙的器件架構(gòu)，縮小晶體管的尺寸可增加集成密度并提高性能。其中，CFET架構(gòu)（PMOS和NMOS器件垂直堆疊并由同一公共柵極控制）已被證明可以減少42-50%的面積，性能提高7%，與傳統(tǒng)的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）器件相比，成本降低了12%10。因此，它提供了將摩爾定律進(jìn)一步擴展到1nm節(jié)點以下的巨大應(yīng)用前景。

　　最近，Intel公司報道的3D堆疊GAA n/p-Si納米帶CMOS展示了最先進(jìn)的Si工藝技術(shù)，其顯示出高集成密度和優(yōu)異的短溝道控制能力。這種3D/3D堆疊CFET架構(gòu)是硅器件中的一個了不起的突破。然而，硅基的CFET面臨許多制造挑戰(zhàn)，例如復(fù)雜的工藝流程、對熱預(yù)算的額外要求、源極和漏極外延生長的困難以及電子/空穴遷移率失配和閾值電壓（VTH）調(diào)諧的補償。為了通過雙金屬柵極調(diào)整閾值電壓，不可避免地需要額外的光刻、蝕刻和沉積工藝，這使得工藝相當(dāng)復(fù)雜。在電子器件中使用二維半導(dǎo)體的研究已經(jīng)開始從單一器件的工作過渡到IC的開發(fā)。然而，在將二維系統(tǒng)引入IC行業(yè)之前，仍有許多挑戰(zhàn)需要解決，包括晶圓級制造、性能匹配、，將2D半導(dǎo)體并入硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體基IC是一種替代方法，可用于彌合新興材料與工業(yè)應(yīng)用之間的差距。然而，這需要與傳統(tǒng)硅技術(shù)兼容的2D材料的器件架構(gòu)和集成方法。

　　在本文中，我們提出了一種異質(zhì)CFET架構(gòu)，它結(jié)合了晶圓級絕緣體上硅（SOI）pFET和二硫化鉬（MoS2）nFET。SOI技術(shù)自然能夠抑制短溝道效應(yīng)（SCE），降低寄生電容，并具有優(yōu)異的亞閾值特性和與現(xiàn)代硅工藝的完全兼容性，全耗盡SOI（FD-SOI）技術(shù)已經(jīng)用于先進(jìn)的VLSI電路，低至22 nm和14 nm技術(shù)節(jié)點。另一方面，2D半導(dǎo)體在超大規(guī)模CMOS、光電子和傳感器中顯示出良好的潛力由于其原子厚度、豐富的帶結(jié)構(gòu)和高的表面與體積比。MoS2中的電子遷移率與硅中的空穴遷移率相似，可以使用化學(xué)氣相沉積（CVD）在晶片規(guī)模上合成高質(zhì)量的MoS2，并在低溫下轉(zhuǎn)移。我們通過遷移率匹配（具體地，通過選擇MoS2層的厚度）緩解nFET/pFET中電子和空穴之間的遷移率失配問題，堆疊的n/p金屬柵極，并引入額外的控制柵極。我們使用該方法創(chuàng)建了一個SOI–MoS2 CFET反相器，在電源電壓（VDD）為3V時電壓增益高達(dá)142.3，在100 mV的低VDD時電壓增益為1.2，功耗為64 pW。我們還通過開發(fā)SOI–MoS2 CFETs的4英寸制造工藝來驗證該方法的制造潛力。

　　如果對具體內(nèi)容感興趣，可前往全文閱讀。

　　1nm的晶體管候選，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊CFET研究全披露

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