2019年5月19日，中國 - 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎設施應用帶來巨大的發展潛力。初代射頻功率放大器 (PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) 射頻功率技術，而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導體制造工藝，且還要考慮和高功率應用爭奪SiC晶圓，這些都可能會導致其成本更加昂貴。而意法半導體和 MACOM 正在開發的射頻硅基氮化鎵技術可以集成到標準半導體工業中，在實現具有競爭力的性能的同時，也有望帶來巨大的規模經濟效益。

意法半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關器件已達到成本和性能目標，完全能夠與市場上現有的LDMOS和 GaN-on-SiC技術展開有效競爭。現在，這些原型即將進入下一個重要階段——認證測試和量產。意法半導體計劃將在 2022 年實現這一新的里程碑。為取得這一進展，意法半導體和 MACOM 已著手研究如何加大投入力度，以加快先進的射頻硅基氮化鎵產品上市。

意法半導體功率晶體管子產品部總經理兼執行副總裁 Edoardo Merli表示：“我們相信，這項技術的性能水平和工藝成熟度現已達到可以挑戰現有的 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎設施等大規模應用帶來成本效益和供應鏈優勢。射頻硅基氮化鎵產品的商業化是我們與 MACOM 合作的下一個重要目標，隨著合作項目不斷取得進展，我們期待著釋放這一激動人心的技術的全部潛力。”

MACOM 總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 表示：“我們推進硅基氮化鎵技術商業化和量產工作繼續取得良好進展。我們與意法半導體的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術可以發揮優勢的目標應用領域贏得市場份額。”