美國當地時間5月12日，存儲器大廠美光科技舉辦Investor Day（投資者日）活動，展示了DRAM與NAND未來技術路線圖，并宣布試行全新定價機制“遠期定價協議“，以穩定存儲器行業價格。

　　技術路線圖曝光

　　1β DRAM、232層3D NAND將亮相

　　美光目前已經出貨1α DRAM與176層NAND閃存，這兩類產品良率出色，一季度合計出貨量占美光產品總出貨量的絕大部分。

　　最新技術路線圖中，美光表示在DRAM領域將持續發力1β、1γ與1δ工藝，其中美光計劃2022年底前推出1β DRAM產品，將可為圖形、HBM3和汽車等領域提供良好的性能，美光希望通過1β DRAM產品，持續提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。

　　至于1γ與1δ工藝時間節點美光則暫未公布，該公司表示將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術。

　　NAND Flash方面，176層NAND閃存之后，美光工藝節點依次是232層、2YY、3XX與4XX。

　　其中，美光將在2022年底開始推出232層NAND產品。據悉，美光232層NAND閃存采用 3D TLC 架構，原始容量為1Tb（128GB），基于美光的CuA架構，并使用NAND字符串堆疊技術，在彼此的頂部建立兩個3D NAND陣列。業界預估，232層NAND閃存芯片發布之后，美光將于2023年推出搭載該款芯片的SSD產品。

　　維護存儲器價格穩定

　　美光將試行“遠期定價協議”

　　Investor Day活動上，美光還對外宣布試行全新定價機制“遠期定價協議(forward pricing agreements)”，旨在解決半導體產業定價波動劇烈的問題。美光透露前十大客戶中的一位已經與美光簽約，協議為期至少三年，預估一年可帶來超過5億美元收入。

　　美光CBO Sumit Sadana表示，該定價策略目前仍是「試驗」性質，長約客戶以采購量而非價格為基準，但遠期價格協議則會涵蓋交易量與定價。

　　當前，存儲器市場受到疫情、國際形勢變化、高通貨膨脹等多因素困擾。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，在俄烏沖突與高通貨膨脹夾擊之下，預估第二季DRAM價格將下跌0~5%。

　　NAND  Flash方面，由于原本預期鎧俠（Kioxia）污染事件恐將造成第二至第三季市況轉為吃緊，但在高通脹及俄烏沖突的沖擊下，市場對于下半年傳統旺季消費性產品需求看法轉趨保守，集邦咨詢預計第二季NAND Flash價格將上漲5~10%，而第三季價格則僅會微幅上漲約0~5%。